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반도체 기판; 상기 반도체 기판 일면에 형성되며, p형 불순물을 포함하는 p형의 도전형 영역; 상기 p형 도전형 영역 위에 형성되며 알루미늄 산화물을 포함하는 제1 패시베이션 막; 및상기 제1 패시베이션 막 상에 형성된 실리콘 질화막을 포함하는 반사 방지막을 포함하고, 상기 제1 패시베이션 막의 두께가 7~17Å이며,상기 알루미늄 산화물의 화학식이 AlO1
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제1항에 있어서, 상기 알루미늄 산화물의 화학식이 AlO1
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제1항에 있어서, 상기 p형의 도전형 영역이 상기 반도체 기판의 전면에 형성되는 에미터층을 포함하고, 상기 제1 패시베이션 막이 상기 에미터층 위에 형성되는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 p형의 도전형 영역이 상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 후면 전계층을 포함하고, 상기 제1 패시베이션 막이 상기 후면 전계층 위에 형성되는 태양 전지
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제5항에 있어서,상기 제1 패시베이션 막 위에 형성되며 상기 p형의 도전형 영역과 전기적으로 연결되는 전극을 더 포함하고, 상기 전극은 상기 제1 패시베이션 막 위에 전체적으로 형성되며, 상기 p형의 도전형 영역에 점 컨택(point contact)되는 태양 전지
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제6항에 있어서,상기 p형의 도전형 영역인 상기 후면 전계층이 상기 전극이 형성된 부분과 인접한 부분에서 국부적으로 형성되는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 p형의 도전형 영역과 이격되어 상기 반도체 기판의 후면에 n형의 도전형 영역이 형성되는 태양 전지
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제8항에 있어서,상기 제1 패시베이션 막이 상기 p형의 도전형 영역 위에 형성되고, 상기 제1 패시베이션 막 및 상기 n형의 도전형 영역을 덮으면서 상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 별도의 패시베이션 막이 형성되는 태양 전지
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제8항에 있어서,상기 반도체 기판의 전면에 전면 전계층이 더 형성되는 태양 전지
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반도체 기판에 p형 불순물을 포함하는 p형의 도전형 영역을 형성하는 단계; 상기 p형의 도전형 영역 위에 알루미늄 산화물을 포함하는 제1 패시베이션 막을 형성하는 단계; 및상기 제1 패시베이션막 위에 실리콘 질화막을 포함하는 반사 방지막을 형성하는 단계을 포함하고, 상기 제1 패시베이션 막의 두께가 7~17Å이며,상기 알루미늄 산화물의 화학식이 AlO1
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제11항에 있어서, 상기 알루미늄 산화물의 화학식이 AlO1
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제11항에 있어서, 상기 제1 패시베이션 막이 원자층 증착법에 의하여 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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