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제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판;상기 기판의 제1 면에 배치되며, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하고, 제1 면저항을 갖는 저농도 에미터부와 상기 제1 면저항보다 낮은 제2 면저항을 가지며, 상기 저농도 에미터부보다 높은 농도의 고농도 에미터부를 구비하는 에미터부;상기 에미터부 위에 배치되는 제1 유전층;상기 고농도 에미터부 위에 제1 방향으로 배치되는 제1 핑거 전극과 상기 저농도 에미터부 위에 제2 방향으로 배치되는 제1 버스바 전극을 포함하는 제1 전극; 및상기 기판의 제2 면에 형성되며, 상기 기판과 연결되는 제2 전극;을 포함하고,상기 제1 버스바 전극은 전기 전도성의 금속 입자와 열 경화성 수지(resin)를 포함하고, 상기 제1 핑거 전극은 상기 고농도 에미터부와 접촉하는 시드층 및 상기 시드층 위에 형성되는 도전성 금속층을 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 버스바 전극과 상기 저농도 에미터부 사이에는 상기 제1 유전층이 배치되는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 금속 입자는 은(Ag)을 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 금속 입자의 크기는 1μm 이하인 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 버스바 전극은 글래스 프릿(glass frit)을 포함하지 않거나 글래스 프릿(glass frit)을 상기 제1 버스바 전극의 단위 부피당 10% 이하의 부피비로 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 버스바 전극은 상기 에미터부와의 경계면에 재결정화된 금속층을 포함하지 않는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 열 경화성 수지는 모노모 계열의 에폭시(epoxy) 수지 또는 아크릴(acrylic) 수지를 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 핑거 전극은 도금 방식에 의해 형성되는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 시드층은 니켈-실리사이드(Ni-Si)를 포함하고,상기 도전성 금속층은 주석(Sn), 구리(Cu) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 저농도 에미터부는 상기 제1 유전층과 직접 접촉하고, 상기 제1 버스바 전극은 상기 제1 유전층과 직접 접촉하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 제1 방향으로 배치되는 제2 핑거 전극과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치되는 제2 버스바 전극을 포함하는 태양 전지
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제11 항에 있어서,상기 제2 핑거 전극은 시드층; 및 상기 시드층 위에 형성되는 도전성 금속층;을 포함하는 태양 전지
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제11 항에 있어서,상기 제2 버스바 전극은 전기 전도성의 금속 입자와 열 경화성 수지(resin)를 포함하는 태양 전지
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기판의 제1 면에 제1 면저항을 갖는 저농도 에미터부를 형성하는 단계;상기 저농도 에미터부 위에 제1 유전층을 형성하는 단계;상기 제1 유전층 위에 도펀트 페이스트를 도포하고, 상기 도펀트 페이스트에 레이저 빔을 조사하여 상기 제1 면저항보다 낮은 제2 면저항을 가지며, 상기 저농도 에미터부보다 높은 농도의 고농도 에미터부를 형성하는 단계;상기 고농도 에미터부 위에 제1 방향으로 제1 핑거 전극을 형성하고 제2 방향으로 제1 버스바 전극을 형성하는 제1 전극 형성 단계; 및 상기 기판의 제2 면에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 전극 형성 단계에서, 상기 제1 핑거 전극은 도금 방식으로 형성하고, 상기 제1 버스바 전극은 전기 전도성의 금속 입자와 열 경화성 수지(resin)를 포함하는 버스바 페이스트(paste)를 도포하고 300℃ ~ 350℃ 사이로 저온 열처리여 형성하는 태양 전지 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제1 전극 형성 단계에서, 상기 버스바 페이스트를 저온 열처리할 때에, 상기 버스바 페이스트(paste)는 상기 제1 유전층을 뚫고 들어가지 않는 태양 전지 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제1 전극 형성 단계에서, 상기 버스바 페이스트를 저온 열처리할 때에, 상기 에미터부와의 경계면에 재결정화된 금속층이 형성되지 않는 태양 전지 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제1 전극 형성 단계에서, 상기 저온 열처리 이후 상기 금속 입자는 형태는 상기 저온 열처리 이전 상기 금속 입자의 형태를 유지하는 태양 전지 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 버스바 페이스트는 글래스 프릿(glass frit)을 포함하지 않거나 글래스 프릿(glass frit)을 상기 버스바 페이스트의 단위 부피당 10% 이하의 부피비로 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 열 경화성 수지는 모노모 계열의 에폭시(epoxy) 수지 또는 아크릴(acrylic) 수지를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제1 전극 형성 단계에서, 상기 제1 핑거 전극은 상기 고농도 에미터부 위에 니켈을 포함하는 시드층과 상기 시드층 위에 도전성 금속층으로 형성되고,상기 버스바 페이스트를 저온 열처리할 때에, 상기 제1 핑거 전극의 시드층에는 니켈(Ni)과 상기 고농도 에미터부의 실리콘(Si)이 화학적으로 결합한 니켈-실리사이드(Ni-Si)층이 형성되는 태양 전지 제조 방법
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