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기판과;상기 기판 상에 형성된 박막트랜지스터와;상기 박막트랜지스터를 덮는 보호막과; 상기 보호막 상부의 화소영역에 투명도전성물질로 형성된 제1 전극과;상기 제1 전극의 가장자리를 덮으며 불투명한 금속 물질로 형성된 보조 전극과;상기 보조 전극 상부에 형성되고 상기 화소영역의 제1 전극을 노출하는 뱅크층과;상기 화소영역에 형성되고 상기 뱅크층에 의해 노출된 상기 제1 전극과 접촉하는 발광층과;상기 발광층 상부의 제2 전극을 포함하는 유기전기발광소자용 어레이 기판
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제1항에 있어서,상기 보조 전극은 몰리브덴-티타늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 어레이 기판
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제2항에 있어서,상기 보조 전극은 50 Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 어레이 기판
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제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서,상기 뱅크층은 음의 감광성을 가지는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 어레이 기판
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기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터를 덮는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상부의 화소영역에 투명도전성물질로 제1 전극을 형성하는 단계와;상기 제1 전극 상부에 불투명한 금속 물질로 보조 전극층을 형성하는 단계와;상기 보조 전극층 상부에 상기 보조 전극층의 가장자리를 덮는 뱅크층을 형성하는 단계와;상기 뱅크층을 식각 마스크로 상기 보조 전극층을 선택적으로 제거하여 상기 제1 전극을 노출하는 보조 전극을 형성하는 단계와;상기 화소영역에 상기 노출된 제1 전극과 접촉하는 발광층을 형성하는 단계와;상기 발광층 상부에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전기발광소자용 어레이 기판의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 보조 전극층은 몰리브덴-티타늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 어레이 기판의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 보조 전극층은 50 Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 어레이 기판의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 보조 전극층은 구리 식각액을 이용한 습식 식각에 의해 선택적으로 제거되는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 어레이 기판의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계와 상기 보조 전극층을 형성하는 단계는 동일 마스크 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 어레이 기판의 제조 방법
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제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 뱅크층을 형성하는 단계는 음의 감광성을 가지는 물질을 도포하여 뱅크물질층을 형성하는 단계와, 상기 뱅크물질층을 노광 및 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자용 어레이 기판의 제조 방법
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