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반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 위에 마스크층을 형성하는 단계; 상기 마스크층 위에 에칭 페이스트를 형성하는 단계; 상기 에칭 페이스트를 이용하여 상기 마스크층에 상기 반도체 기판을 노출하는 개구부를 형성하는 단계; 및상기 개구부를 통하여 불순물을 도핑하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 에칭 페이스트를 형성하는 단계에서는 인쇄에 의하여 상기 에칭 페이스트를 도포하는 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 개구부를 형성하는 단계에서는 상기 에칭 페이스트를 100 내지 300℃의 온도에서 열처리하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 에칭 페이스트가 상기 마스크층보다 두꺼운 태양 전지의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 에칭 페이스트의 두께가 5~50㎛인 태양 전지의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 마스크층의 두께가 50~500nm인 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 에칭 페이스트가 산성 물질을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 마스크층을 형성하는 단계에서 상기 마스크층은 증착법에 의하여 증착되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 마스크층은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 불순물을 도핑하는 단계 이후에 산성 물질을 이용하여 상기 마스크층을 제거하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 불순물을 도핑하는 단계에 의하여 국부적인 구조의 불순물층이 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 불순물층이 후면 전계층을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 후면 전계층의 n형의 도전형을 가지는 태양 전지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 반도체 기판의 다른 일면에 상기 불순물과 다른 도전형을 가지는 불순물을 도핑하여 에미터층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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