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기판;상기 기판의 위에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극 위에 배치되는 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 위에 배치되는 제2 전극;을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 기판 사이의 계면에는 복수의 산화물 입자가 위치하는 박막 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 복수의 산화물 입자의 굴절률은 상기 기판의 굴절률과 상기 제1 전극의 굴절률 사이의 값을 갖는 박막 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 복수의 산화물 입자의 굴절률은 1
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제1 항에 있어서,상기 복수의 산화물 입자의 크기는 불균일한 박막 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 복수의 산화물 입자는 제1 크기 이상의 제1 입자와, 상기 제1 입자보다 작은 크기를 갖는 제2 입자를 포함하는 박막 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 복수의 산화물 입자의 크기는 5mn ~ 500 nm 사이인 박막 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 복수의 산화물 입자는 투명 물질을 포함하는 박막 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 복수의 산화물 입자는 SiO2, TiO2, SiOxNy 및 Al2O3 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 박막 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 기판과 마주하는 상기 제1 전극의 표면은 복수의 요철을 포함하는 박막 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극의 두께는 500nm ~ 1
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극은 투명 전도성 물질을 포함하는 박막 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극은 ZnO 계열 및 SnO 계열 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 박막 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극은 아연산화물(ZnOx), 주석산화물(SnOx), 인듐산화물(InOx), 붕소아연산화물(ZnO:B, BZO) 및 알루미늄아연산화물(ZnO:Al, AZO) 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 박막 태양 전지
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14
제1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 p-i-n 반도체층을 포함하는 적어도 하나의 광전 변환층을 포함하는 박막 태양 전지
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기판 위에 복수의 산화물 입자를 분산 분포하는 단계;상기 복수의 산화물 입자가 분포된 상기 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 위에 광전 변환부를 형성하는 단계; 및상기 광전 변환부 위에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 박막 태양 전지 제조 방법
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제15 항에 있어서,상기 복수의 산화물 입자를 분산 분포하는 단계는상기 복수의 산화물 입자를 포함하는 용액을 상기 기판 위에 분사하는 단계; 및상기 기판 위에 분사된 상기 복수의 산화물 입자를 포함하는 용액을 건조시키는 단계;를 포함하는 박막 태양 전지 제조 방법
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제15 항에 있어서,상기 제1 전극은 화학적 기상 증착(CVD, PECVD) 및 스퍼터링(sputterring ) 방법 중 적어도 어느 하나에 의해 형성되는 박막 태양 전지 제조 방법
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제15 항에 있어서,상기 제1 전극에 대한 식각(etching) 공정은 생략되는 박막 태양 전지 제조 방법
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