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제1 도전성 타입의 기판,상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖고 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부,상기 기판의 전면 위에 위치하고 상기 에미터부에 연결되어 있는 복수의 제1 전극,상기 기판의 전면 위에 위치하고, 상기 에미터부와 상기 복수의 제1 전극에 연결되어 있는 적어도 하나의 버스바,상기 기판의 후면 위에 위치하고 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극,상기 복수의 제1 전극이 위치하지 않는 상기 에미터부 위에 위치하고, 상기 복수의 제1 전극 위에는 위치하지 않는 제1 반사 방지막, 그리고상기 제1 반사 방지막 위와 상기 복수의 제1 전극 위에 위치하는 제2 반사 방지막을 포함하고,상기 복수의 제1 전극이 위치하지 않는 상기 에미터부 위에는 상기 제1 및 제2 반사 방지막이 위치하고, 상기 제2 반사 방지막은 상기 복수의 제1 전극 위에 위치하고, 상기 적어도 하나의 버스바 위에 위치하지 않고,상기 제1 반사 방지막 위에 위치하는 상기 제2 반사 방지막 부분의 표면 위치와 상기 복수의 제1 전극 위에 위치하는 상기 제2 반사 방지막 부분의 표면 위치는 서로 상이한 태양 전지
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제1항에서,상기 제1 반사 방지막 위에 위치하는 상기 제2 반사 방지막의 표면 위치는 상기 적어도 하나의 버스바의 표면 위치보다 낮은 태양 전지
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제1항에서,상기 제1 반사 방지막 위에 위치하는 상기 제2 반사 방지막의 표면 위치는 상기 적어도 하나의 버스바의 표면 위치보다 높은 태양 전지
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삭제
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제1항에서,상기 제1 반사 방지막 위에 위치하는 상기 제2 반사 방지막 부분의 표면 위치는 상기 복수의 제1 전극 위에 위치하는 상기 제2 반사 방지막 부분의 표면 위치보다 낮은 태양 전지
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제1항에서,상기 제2 반사 방지막은 1
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제7항에서,상기 제2 반사 방지막은 산화물, 비산화물 그리고 폴리머(polymer) 계열의 물질 중 적어도 하나로 이루어져 있는 태양 전지
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9
제1항에서,상기 제2 반사 방지막은 1㎛ 내지 수백 ㎛의 두께를 갖는 태양 전지
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제1항에서,상기 제1 반사 방지막은 2
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제10항에서,상기 제1 반사 방지막은 실리콘 질화물로 이루어져 있는 태양 전지
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제11항에서,상기 제1 반사 방지막은 30㎚ 내지 100㎚의 두께를 갖는 태양 전지
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제1항에서,상기 제2 전극과 연결되는 후면 전계부를 더 포함하는 태양 전지
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제1항에서,상기 기판은 5N 이하의 순도를 갖는 다결정 실리콘 기판인 태양 전지
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제1항에서,상기 기판은 2N 내지 5N의 순도를 갖는 다결정 실리콘 기판인 태양 전지
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제1항에서,상기 기판은 메탈로지칼 급 실리콘 기판인 태양 전지
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제1항에서,상기 기판은 0
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제17항에서,상기 기판은 0
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