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기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 복수 개의 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고, 상기 복수 개의 광전 변환부는, 상기 제1 전극 상에 형성되고 제1 파장대의 광을 이용하여 광전 변환 작용을 하며, 제1 p형 반도체층, 제1 i형 반도체층 및 제1 n형 반도체층을 포함하는 제1 광전 변환부; 및 상기 제1 광전 변환부 상에 형성되고 상기 제1 파장대보다 큰 제2 파장대의 광을 이용하여 광전 변환 작용을 하며, 제2 p형 반도체층, 제2 i형 반도체층 및 제2 n형 반도체층을 포함하는 제2 광전 변환부를 포함하고, 상기 제1 i형 반도체층과 상기 제2 i형 반도체층은, 각 지역에서 상기 제1 파장대 및 상기 제2 파장대에서의 광량을 고려하여 서로 다른 두께를 가지는 박막 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 제2 파장대의 광이 상기 제1 파장대의 광보다 많은 지역에서는, 상기 제1 i형 반도체층의 두께가 280nm 내지 330nm이고, 상기 제2 i형 반도체층의 두께가 800nm 내지 1200nm인 박막 태양 전지
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3
제2항에 있어서, 상기 제2 광전 변환부에 의한 전류량을 100%라고 할 때, 상기 제1 광전 변환부에 의한 전류량이 110~130%인 박막 태양 전지
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4
제1항에 있어서,상기 복수 개의 광전 변환부는, 상기 제1 파장대의 광이 상기 제2 파장대의 광보다 많은 지역에서는, 상기 제1 i형 반도체층의 두께가 200nm 내지 250nm이고, 상기 제2 i형 반도체층의 두께가 1500nm 내지 2000nm인 박막 태양 전지
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5
제4항에 있어서, 상기 제1 광전 변환부에 의한 전류량을 100%라고 할 때, 상기 제2 광전 변환부 쪽에서의 전류량이 110~130%인 박막 태양 전지
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6
제1항에 있어서, 상기 제1 i형 반도체층은 비정질 실리콘을 포함하고, 상기 제2 i형 반도체층은 미세결정 실리콘을 포함하는 박막 태양 전지
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7
기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 복수 개의 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고, 상기 복수 개의 광전 변환부는, 상기 제1 전극 상에 형성되고 제1 파장대의 광을 이용하여 광전 변환 작용을 하며, 제1 p형 반도체층, 제1 i형 반도체층 및 제1 n형 반도체층을 포함하는 제1 광전 변환부; 상기 제1 광전 변환부 상에 형성되고 제1 파장대보다 큰 제2 파장대의 광을 이용하여 광전 변환 작용을 하며, 제2 p형 반도체층, 제2 i형 반도체층 및 제2 n형 반도체층을 포함하는 제2 광전 변환부; 및 상기 제2 광전 변환부 상에 형성되고 상기 제2 파장대보다 큰 제3 파장대의 광을 이용하여 광전 변환 작용을 하며, 제3 p형 반도체층, 제3 i형 반도체층 및 제3 n형 반도체층을 포함하는 제3 광전 변환부를 포함하고, 상기 제1 i형 반도체층, 상기 제2 i형 반도체층, 상기 제3 i형 반도체층은, 각 지역에서 상기 제1 파장대, 상기 제2 파장대 및 상기 제3 파장대에서의 광량을 고려하여 서로 다른 두께를 가지는 박막 태양 전지
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8
제7항에 있어서,상기 제3 파장대의 광이 상기 제1 파장대의 광보다 많은 지역에서는, 상기 제1 i형 반도체층의 두께가 150nm 내지 200nm이고, 상기 제2 i형 반도체층의 두께가 150nm 내지 200nm이고, 상기 제3 i형 반도체층의 두께가 2200nm 내지 2700nm인 박막 태양 전지
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9
제8항에 있어서, 상기 제2 광전 변환부 또는 상기 제3 광전 변환부에 의한 전류량을 100%라고 할 때, 상기 제1 광전 변환부에 의한 전류량이 110~130%인 박막 태양 전지
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10
제7항에 있어서,상기 제1 파장대의 광이 상기 제3 파장대의 광보다 많은 지역에서는, 상기 제1 i형 반도체층의 두께가 80nm 내지 120nm이고, 상기 제2 i형 반도체층의 두께가 150nm 내지 200nm이고, 상기 제3 i형 반도체층의 두께가 3000nm 내지 3500nm인 박막 태양 전지
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11
제10항에 있어서, 상기 제1 광전 변환부 또는 상기 제2 광전 변환부에 의한 전류량을 100%라고 할 때, 상기 제3 광전 변환부에 의한 전류량이 110~130%인 박막 태양 전지
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12
제7항에 있어서, 상기 제1 i형 반도체층은 비정질 실리콘 재질을 포함하고, 상기 제2 i형 반도체층은 비정질 실리콘게르마늄 또는 미세결정 실리콘 재질을 포함하고, 상기 i형 반도체층은 미세결정 실리콘 또는 미세결정 실리콘게르마늄 재질을 포함하는 박막 태양 전지
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