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서브마운트 상부의 오믹컨택층;상기 오믹컨택층 상부의 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층;상기 InXAlYGaZN층 상부의 P-GaN층;상기 P-GaN층 상부의 활성층;상기 활성층 상부의 N-GaN층; 및상기 N-GaN층 상부의 N-전극을 포함하고, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, 상기 P-GaN층보다 밴드갭이 작은 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 서브마운트 기판과 오믹컨택층 사이의 반사층을 더 포함하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 서브마운트 기판은,베이스 기판; 및상기 베이스기판의 상부 및 하부의 제1 및 제2오믹컨택용 금속층을 포함하는 발광 다이오드
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금속지지층 상부의 오믹컨택층;상기 오믹컨택층 상부의 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층;상기 InXAlYGaZN층 상부의 P-GaN층;상기 P-GaN층 상부의 활성층;상기 활성층 상부의 N-GaN층; 및상기 N-GaN층 상부의 N-전극을 포함하고, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, 상기 P-GaN층보다 밴드갭이 작은 발광 다이오드
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제4항에 있어서,상기 금속지지층과 오믹컨택층 사이의 반사층을 더 포함하는 발광 다이오드
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오믹컨택층은 Ni/Au(니켈/금) 박막으로 이루어진 발광 다이오드
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삭제
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, 상기 P-GaN층과 맞닿는 계면으로부터 Al 조성이 계단식으로 감소하는 발광 다이오드
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층과 상기 P-GaN층 사이에 N+-GaN층을 더 포함하는 발광 다이오드
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, InXAlYGaZN과 N+-GaN의 초격자층인 발광 다이오드
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제10항에 있어서, 상기 초격자층은, 주기가 5nm보다 작은 단주기 초격자층인 발광 다이오드
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, N형 도핑된 발광 다이오드
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, 도핑된 InXAlYGaZN층과 도핑되지 않은 InXAlYGaZN층이 교호로 적층되도록 N형 델타 도핑된 발광 다이오드
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 N-전극은, 십자 형상인 발광 다이오드
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