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실리콘 기판의 나노 및 마이크로 복합 구조체를 갖는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지

  • 기술번호 : KST2015069386
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 실리콘 기판의 나노 및 마이크로 복합 구조체를 갖는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 포토 레지스트의 리소그래피 디자인에 따라 다양한 크기의 마이크로 와이어를 형성하고, 또한 습식 식각 용액의 농도와 침지 시간의 조절에 의해 다양한 크기 및 종횡비의 나노 와이어를 형성할 수 있는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공한다. 이를 위해 본 발명은 제1면과 제2면을 갖는 제1도전형 반도체 기판을 준비하는 단계; 제1도전형 반도체 기판의 제2면에 포토레지스트를 패터닝하는 단계; 포토레지스트와 대응하는 영역에는 마이크로 와이어가 형성되도록 하고, 포토레지스트와 대응하지 않는 영역에는 나노 와이어가 형성되도록, 반도체 기판을 무전해 식각하는 단계; 마이크로 와이어 및 나노 와이어에 제2도전형 불순물을 도핑하는 단계; 반도체 기판의 제1면에 제1전극을 형성하는 단계; 및, 마이크로 와이어에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020120119307 (2012.10.25)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1385669-0000 (2014.04.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 김창헌 대한민국 광주 광산구
3 김호성 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0873433-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0066233-89
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0292575-21
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0292574-86
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0223902-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평평한 제1면과 평평한 제2면을 갖는 제1도전형 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 제1도전형 반도체 기판의 상기 평평한 제2면에 포토레지스트를 패터닝하는 단계;상기 포토레지스트와 대응하는 영역에는 마이크로 와이어가 형성되도록 하고, 상기 포토레지스트와 대응하지 않는 영역에는 나노 와이어가 형성되도록, 상기 반도체 기판을 무전해 식각하는 단계;상기 마이크로 와이어 및 나노 와이어에 제2도전형 불순물을 도핑하되, 상기 마이크로 와이어에는 라디얼(Radial) 형태의 도핑 영역이 형성되고, 상기 나노 와이어는 전체가 도핑 영역이 되도록 하는 단계;상기 반도체 기판의 제1면에 제1전극을 형성하는 단계; 및,상기 마이크로 와이어 및 나노 와이어 중에서 상기 마이크로 와이어에만 제2전극을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 무전해 식각 단계는상기 반도체 기판의 제1면에 보호막을 형성하고, 상기 반도체 기판을 질산은 용액과 불산 용액의 혼합 용액에 침지하는 제1침지 단계를 포함함을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 질산은 용액은 5 내지 15mM 농도이고, 상기 불산 용액은 2mM 내지 8mM 농도인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
4 4
제 2 항에 있어서,상기 제1침지 단계 이후, 상기 질산은 용액으로부터 은 입자가 부착된 상기 반도체 기판을 과산화수소 용액과 불산 용액의 혼합 용액에 침지하는 제2침지 단계를 포함함을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제2침지 단계의 상기 과산화수소 용액과 불산 용액은 각각 2mM 내지 8mM 농도인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 제2침지 단계에 의해 상기 나노 와이어가 형성되고, 상기 제2침지 단계는 1분 내지 12분간 수행됨을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제 4 항에 있어서,상기 제2침지 단계 이후, 상기 반도체 기판을 질산 용액과 물의 혼합 용액에 침지하여 상기 은 입자를 제거하는 제3침지 단계를 포함함을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 마이크로 와이어는 폭이 1 내지 3㎛이고, 높이가 3 내지 5㎛이며,상기 나노 와이어는 폭이 1 내지 100㎚이고, 높이가 1 내지 3㎛인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
9 9
제1도전형 반도체 기판;상기 반도체 기판의 상면에 바둑판 라인 또는 매트릭스 형태로 형성된 다수의 마이크로 와이어;상기 마이크로 와이어의 외측에 형성되어 빛의 경로를 증가시키는 다수의 나노 와이어;상기 마이크로 와이어의 표면에 제2도전형 불순물이 도핑되어 형성된 제2도전형 불순물 도핑 영역;상기 반도체 기판의 하면에 형성된 제1전극; 및 상기 제2도전형 불순물 도핑 영역의 표면에 형성된 제2전극을 포함하고,상기 다수의 마이크로 와이어의 상면은 평평하고, 상기 마이크로 와이어에는 라디얼(Radial) 형태의 도핑 영역이 형성되고, 상기 나노 와이어는 전체가 도핑 영역이 되며, 상기 제2전극은 상기 마이크로 와이어 및 나노 와이어 중에서 상기 마이크로 와이어에만 형성됨을 특징으로 하는 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104756260 CN 중국 FAMILY
2 KR101366737 KR 대한민국 FAMILY
3 KR101366740 KR 대한민국 FAMILY
4 US09530914 US 미국 FAMILY
5 US09972732 US 미국 FAMILY
6 US20150270425 US 미국 FAMILY
7 US20170084765 US 미국 FAMILY
8 WO2014065465 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104756260 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN104756260 CN 중국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.