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MOMBE를 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지

  • 기술번호 : KST2015069650
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 반도체 기판의 마이크로 와이어 및 나노 와이어에 MOMBE(Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy)증착법을 이용해 투명전극을 형성하여, 나노 와이어 전면에 투명전극을 형성할 수 있는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공한다.이를 위해 본 발명은 제1면과 제2면을 갖는 제1도전형 반도체 기판을 준비하는 단계, 상기 제1도전형 반도체 기판의 제2면에 포토 레지스트를 패터닝하는 단계, 상기 제2면에 금속 박막층을 형성하는 단계, 상기 포토 레지스트와 대응하는 영역에 마이크로 와이어를 형성하고, 상기 포토 레지스트와 대응하지 않는 영역에는 나노 와이어를 형성하는 와이어 형성 단계, 상기 마이크로 와이어 및 나노 와이어에 제2도전형 불순물을 도핑 하여, 제2도전형 불순물 도핑 영역을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판의 제1면에 제1전극을 형성하는 단계 및 상기 제2도전형 불순물 도핑 영역의 표면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제2전극을 형성하는 단계는 MOMBE(Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy)를 이용해 투명전극을 형성하고, 상기 투명전극에 제1금속을 도핑 함을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020120124610 (2012.11.06)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1480924-0000 (2015.01.05)
공개번호/일자 10-2014-0059318 (2014.05.16) 문서열기
공고번호/일자 (20150115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 박성재 대한민국 광주광역시 북구
3 김화정 대한민국 전남 장흥군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0908714-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0097386-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0061046-86
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0297296-59
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0297295-14
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0523082-23
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0935058-98
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0935059-33
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0816808-68
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1면과 제2면을 갖는 제1도전형 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 제1도전형 반도체 기판의 제2면에 바둑판 라인 또는 매트릭스 형태로 포토 레지스트를 패터닝하는 단계;상기 포토 레지스트를 마스크로 바둑판 라인 또는 매트릭스 형태의 마이크로 와이어가 형성되고, 상기 포토 레지스트와 대응하지 않는 영역에는 나노 와이어가 형성되도록 상기 제1도전형 반도체 기판의 제2면을 식각하는 와이어 형성 단계;상기 마이크로 와이어 및 나노 와이어 전체 면에 제2도전형 불순물을 도핑 하여, 제2도전형 불순물 도핑 영역을 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 제1면에 제1전극을 형성하는 단계; 및,상기 제2도전형 불순물 도핑 영역의 전체 표면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2전극을 형성하는 단계는 MOMBE(Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy)를 이용해 투명전극을 형성하고, 상기 투명전극에 제1금속을 도핑 함을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 투명전극은 산화아연(Zinc oxide, ZnO)이고, 상기 제2전극은 갈륨이 도핑 된 산화아연(Ga-doped ZnO, GZO)인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 산화아연은 디엘틸 아연(diethylzinc,　DEZn)에 물(H2O) 또는 산소(O2)를 반응시켜 형성됨을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 산화아연의 반응온도는 250℃ 내지 600℃인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
5 5
제 2 항에 있어서,상기 갈륨이 도핑 된 산화아연은 상기 산화아연에 삼메틸갈륨(TriMethylGallium, Ga(CH3)3)을 반응시켜 형성됨을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 갈륨이 도핑 된 산화아연의 반응온도는 100℃ 내지 400℃인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
7 7
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패밀리정보가 없습니다
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