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반응 챔버와 소스 챔버를 포함하는 증착 장치를 제공하고,기판을 상기 반응 챔버 내에 고정하는 것;상기 반응 챔버와 연결되며 기화된 유기물 소스를 공급하는 상기 소스 챔버에 25°C 내지 50°C의 이송가스를 공급하는 것;상기 이송가스와 상기 기화된 유기물 소스가 샤워해드를 통하여 상기 반응 챔버 내로 분사되는 것; 및상기 기화된 유기물 소스가 분자화되어 형성된 유기 입자들이 상기 기판 상에 증착되어 불균일한 표면을 갖는 유기 산란층을 형성하는 것을 포함하되,상기 증착 장치는 유기물 기상 증착 장치이고,상기 기판의 증착온도는 0°C인 유기 산란층의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 반응 챔버 내의 압력은 1
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제 1 항에 있어서,상기 반응 챔버에 배치된 상기 샤워해드의 온도는 200°C 내지 310°C로 유지하는 유기 산란층의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기 산란층을 형성하는 것은 상기 반응 챔버 내에 희석 가스를 공급하는 것을 더 포함하는 유기 산란층의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기 입자들은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)로 이루어진 유기 산란층의 제조 방법
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제 1 기판 상에 애노드 전극을 형성하는 것;상기 애노드 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 것;상기 유기 발광층 상에 캐소드 전극을 형성하는 것;제 2 기판 상에 유기 산란층을 형성하는 것; 및상기 유기 산란층과 상기 캐소드 전극이 접촉되도록 상기 제 2 기판을 상기 캐소드 전극 상에 접합시키는 것을 포함하되, 상기 유기 산란층을 형성하는 것은:반응 챔버와 소스 챔버를 포함하는 증착 장치를 제공하고,상기 제 2 기판을 상기 반응 챔버 내에 고정하는 것;상기 반응 챔버와 연결되며 기화된 유기물 소스를 공급하는 상기 소스 챔버에 챔버에 25°C 내지 50°C의 이송가스를 공급하는 것;상기 이송가스와 상기 기화된 유기믈 소스가 샤워해드를 통하여 상기 반응 챔버 내로 분사되는 것; 및상기 기화된 유기물 소스가 분자화되어 형성된 유기 입자들이 상기 제 2 기판 상에 증착되어 불균일한 표면을 갖는 유기 산란층을 형성하는 것을 포함하되,상기 증착 장치는 유기물 기상 증착 장치이고,상기 기판의 증착온도는 0°C인 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 기판을 상기 캐소드 전극 상에 접합시키기 전에 상기 캐소드 전극 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 애노드 전극을 상기 제 1 기판의 일면 상에 형성하기 전에, 상기 제 1 기판의 타면 상에 상기 유기 산란층을 형성하는 것을 더 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 유기 산란층은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)로 형성되는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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