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1
제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판;상기 기판의 제1 면 또는 상기 제1 면과 반대면인 제2 면 위에 배치되며, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부;상기 에미터부 위에 배치되는 제1 전극; 및상기 기판의 제2 면 위에 배치되는 제2 전극;을 포함하고,상기 에미터부는 결정질 실리콘 재질을 포함하는 제1 에미터와 비정질 실리콘 재질을 포함하는 제2 에미터를 포함하며,상기 제2 에미터는 상기 제1 에미터의 폭방향으로 상기 제1 에미터의 양쪽에 각각 위치하는 태양 전지
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2
제1 항에 있어서,상기 제1 에미터는 제1 전극과 접촉하고, 상기 제1 에미터의 측면은 상기 제2 에미터의 측면과 접촉하는 태양 전지
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| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 제1 에미터에는 라인의 방향이 일정하지 않은 돌기 라인이 형성되며,상기 돌기 라인은 상기 제1 에미터에서 상기 돌기 라인이 형성되지 않은 부분보다 더 돌출되어 있는 태양 전지
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4
제1 항에 있어서,상기 에미터부의 두께는 5nm ~ 25nm 사이인 태양 전지
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5
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에미터부와 상기 기판 사이에 위치하는 터널 접합층을 더 포함하는 태양 전지
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6
제5 항에 있어서,상기 터널 접합층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 비정질 실리콘(a-Si)을 포함하는 태양 전지
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7
제5 항에 있어서,상기 터널 접합층의 두께는 1nm ~ 5nm 사이인 태양 전지
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8
제5 항에 있어서,상기 터널 접합층은 상기 기판의 제1 면 위에 전체적으로 위치하고, 상기 에미터부는 상기 터널 접합층 위에 위치하는 태양 전지
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| 9 |
9
제8 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 기판의 제1 면 위에 서로 이격되어 제1 방향으로 뻗어 있는 복수의 제1 핑거 전극과, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 뻗어 있는 복수의 제1 버스바 전극을 포함하고, 상기 제1 에미터의 패턴은 적어도 상기 복수의 제1 핑거 전극의 패턴과 서로 중첩되는 태양 전지
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10
제9 항에 있어서,상기 제1 핑거 전극의 사이 공간에 위치하는 에미터부 위에 형성된 실리콘 질화물(SiNx) 또는 투명 전도성 산화물(TCO, Transpatent Conductive Oxide)을 더 포함하는 제1 반사 방지막을 더 포함하는 태양 전지
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11
제9 항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 기판의 제2 면 위에 서로 이격되어 상기 제1 방향으로 뻗어 있는 복수의 제2 핑거 전극과, 상기 제2 방향으로 뻗어 있는 복수의 제2 버스바 전극을 포함하거나,상기 제2 방향으로 뻗어 있는 복수의 제2 버스바 전극과, 상기 제2 버스바 전극이 위치하지 않는 영역의 상기 기판의 제2 면 전체를 덮는 후면 전극층을 포함하는 태양 전지
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12
제5 항에 있어서,상기 터널 접합층은 상기 기판의 제2 면 위에 부분적으로 이격되어 위치하고, 상기 에미터부는 상기 터널 접합층 위에 위치하며, 상기 기판의 제2 면 중에서 상기 에미터부가 위치하지 않는 영역 위에는 후면 전계부가 위치하고,상기 제2 전극은 상기 후면 전계부 위에 배치되는 태양 전지
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13
제12 항에 있어서,상기 후면 전계부는 결정질 실리콘 재질을 포함하는 제1 후면 전계부와 비정질 실리콘 재질을 포함하는 제2 후면 전계부를 포함하고,상기 제2 후면 전계부는 상기 제1 후면 전계부의 폭방향으로 상기 제1 후면 전계부의 양쪽에 각각 위치하며,상기 제1 후면 전계부는 상기 제2 전극과 접촉하고, 상기 제1 후면 전계부의 측면은 상기 제2 후면 전계부의 측면과 접촉하는 태양 전지
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14
제13 항에 있어서,상기 제1 후면 전계부에는 방향이 일정하지 않은 돌기 라인이 형성되며,상기 돌기 라인은 상기 제1 후면 전계부에서 상기 돌기 라인이 형성되지 않은 부분보다 더 돌출되어 있는 태양 전지
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15
제13 항에 있어서,상기 제1 에미터의 폭은 상기 제2 에미터의 폭보다 크게 형성되며, 상기 제1 후면 전계부의 폭은 상기 제2 후면 전계부의 폭보다 크게 형성되는 태양 전지
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16
제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 결정질 기판의 제1 면 또는 제2 면 위에 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 비정질 실리콘 재질의 제2 에미터를 형성하는 단계;제1 전극이 배치될 제1 에미터 영역의 상기 제2 에미터에 레이저 빔을 조사하여 결정질 실리콘 재질의 제1 에미터를 형성하여, 상기 제1 에미터 및 상기 제1 에미터의 폭방향으로 상기 제1 에미터의 양쪽에 각각 위치하는 상기 제2 에미터를 포함하는 에미터부를 형성하는 단계;상기 제1 에미터 위에 상기 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 기판의 제2 면 위에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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17
제16 항에 있어서,상기 제1 에미터는 상기 제2 에미터 중 상기 제1 에미터 영역에 상기 레이저 빔을 조사하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 상태(phase) 변화시켜 형성되는 태양 전지 제조 방법
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18
제17 항에 있어서,상기 제1 에미터는 상기 레이저 빔을 복수 번 조사하여 형성하며, 상기 레이저 빔을 복수 번 반복하여 조사할 때, 현재 레이저 빔의 조사 영역을 이전 레이저 빔의 조사 영역의 적어도 50% 이상 중첩시키는 태양 전지 제조 방법
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19
제16 항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에미터부를 형성하기 이전에, 상기 기판의 제1 면 또는 제2 면 중 상기 에미터부가 형성될 표면 위에 터널 접합층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
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20
제19 항에 있어서,상기 에미터부 위에 실리콘 질화물(SiNx) 또는 투명 전도성 산화물(TCO, Transpatent Conductive Oxide)로 형성된 제1 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1 반사 방지막의 형성 온도는 300℃ ~ 400℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
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21
제19 항에 있어서,상기 터널 접합층은 상기 기판의 제2 면 위에 부분적으로 이격하여 형성하고, 상기 터널 접합층 위에 상기 에미터부를 형성하는 태양 전지 제조 방법
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22
제21 항에 있어서,상기 태양 전지 제조 방법은 상기 기판의 제2 면 중에서 상기 에미터부가 형성되지 않는 영역 위에 비정질 실리콘 재질의 제2 후면 전계부를 형성하는 단계; 및 상기 제2 전극이 배치될 제1 후면 전계 영역의 상기 제2 후면 전계부에 레이저 빔을 조사하여 결정질 실리콘 재질의 제1 후면 전계부를 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 제2 전극은 상기 제1 후면 전계부 위에 형성하는 태양 전지 제조 방법
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제22 항에 있어서,상기 제1 후면 전계부는 상기 제2 후면 전계부 중 상기 제1 후면 전계 영역에 상기 레이저 빔을 조사하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 상태(phase) 변화시켜 형성되는 태양 전지 제조 방법
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제22 항에 있어서,상기 제1 후면 전계부는 상기 레이저 빔을 복수 번 조사하여 형성하며, 상기 레이저 빔을 복수 번 반복하여 조사할 때, 현재 레이저 빔의 조사 영역을 이전 레이저 빔의 조사 영역의 적어도 50% 이상 중첩시키는 태양 전지 제조 방법
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