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기판(substrate);상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터(emitter)부;상기 에미터부 위에 위치하는 제1 유전층(dielectric layer);복수의 도전성 입자(conductive particle)를 포함하며, 상기 에미터부 위에 위치하여 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극부(electrode part);상기 제1 전극부와 상기 에미터부 사이 및 상기 제1 전극부의 상부 표면 중 선택된 어느 하나의 영역에 위치하는 저저항 금속층(low resistance metal layer);상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 상기 기판의 제2 면에 위치하며, 상기 기판과 연결되는 제2 전극부; 및상기 제1 유전층 위에 위치하며, 표면 플라즈몬 공명(Surface Plasmon Resonance) 현상을 발생시키는 복수의 금속 나노 입자(nano sized metal particle)들을 포함하며,상기 제1 전극부와 상기 에미터부 사이에 위치하는 저저항 금속층은 상기 복수의 금속 나노 입자들과 동일한 물질 및 상기 도전성 입자와 동일한 물질을 포함하는 태양전지
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제1항에서,상기 기판의 상기 제1 면은 텍스처링 표면으로 형성되는 태양전지
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제1항에서,상기 저저항 금속층은 상기 에미터부의 면저항보다 낮은 저항을 갖는 태양전지
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제1항에서,상기 금속 나노 입자는 1㎚ 내지 30㎚ 미만의 크기로 형성되는 태양전지
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제1항에서,상기 제1 전극부와 상기 에미터부 사이에 위치하는 저저항 금속층은 음의 유전상수를 갖는 은(Ag), 금(AU) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 단일 금속 물질 또는 합금 물질을 포함하는 태양전지
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제1항에서,상기 제1 전극부와 상기 에미터부 사이에 위치하는 저저항 금속층은 상기 기판의 실리콘과의 결합에 의해 실리사이드를 형성하는 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 티타늄(Ti) 중에서 선택된 단일 금속 물질 또는 합금 물질을 포함하는 태양전지
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제1항에서,상기 제1 전극부의 상부 표면에 위치하는 저저항 금속층은 주석(Sn)을 포함하는 태양전지
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제1항에서,상기 도전성 입자는 은(Ag) 또는 은(Ag)과 알루미늄(Al)의 합금(AgAl)으로 이루어지는 태양전지
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에서,상기 제1 전극부는 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 핑거 전극들을 포함하고, 상기 복수의 제1 핑거 전극들은 인접한 제1 핑거 전극들과 서로 이격되는 태양전지
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제9항에서,상기 복수의 제1 핑거 전극들이 이웃하는 제1 핑거 전극과 물리적으로 연결되지 않는 논 버스 구조로 형성되는 태양전지
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제10항에서,상기 제2 전극부는 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 핑거 전극들을 포함하고, 상기 복수의 제2 핑거 전극들은 인접한 제2 핑거 전극들과 서로 이격되며, 복수의 제2 핑거 전극들이 이웃하는 제2 핑거 전극과 물리적으로 연결되지 않는 논 버스 구조로 형성되는 태양전지
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제10항에서,상기 제2 전극부는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 버스바 전극 및 상기 제2 버스바 전극이 형성된 부분을 제외한 나머지 영역의 기판 후면을 덮는 시트(sheet)상의 제2 전극을 포함하는 태양전지
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제9항에서,상기 제1 전극부는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 상기 복수의 제1 핑거 전극들을 인접한 제1 핑거 전극들과 물리적으로 연결하는 제1 버스바 전극을 더 포함하는 태양전지
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제13항에서,상기 제2 전극부는 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 핑거 전극들 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 상기 복수의 제2 핑거 전극들을 인접한 제2 핑거 전극들과 물리적으로 연결하는 제2 버스바 전극을 포함하는 태양전지
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제13항에서,상기 제2 전극부는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 버스바 전극 및 상기 제2 버스바 전극이 형성된 부분을 제외한 나머지 영역의 기판 후면을 덮는 시트(sheet)상의 제2 전극을 포함하는 태양전지
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기판의 제1 면에 에미터부를 형성하는 단계;상기 에미터부 위에 제1 유전층을 형성하는 단계;상기 제1 유전층 위에 초박막 금속층을 형성하는 단계; 및도전성 입자를 포함하는 도전 페이스트를 상기 초박막 금속층 위에 도포한 후 소성하여 제1 전극부를 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서 상기 도전 페이스트를 소성할 때, 상기 도전성 입자와 동일한 물질 및 상기 초박막 금속층을 형성하는 물질을 포함하는 저저항 금속층을 상기 제1 전극부와 상기 에미터부 사이에 형성하고, 상기 초박막 금속층을 형성하는 물질로 형성된 금속 나노 입자를 상기 제1 유전층 위에 형성하는 태양전지의 제조 방법
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제16항에서,상기 에미터부를 형성하기 전에 상기 기판의 제1 면을 텍스처링 표면으로 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제16항에서,상기 초박막 금속층을 수㎚ 내지 수십㎚의 두께로 형성하는 태양전지의 제조 방법
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기판의 제1 면에 에미터부를 형성하는 단계;상기 에미터부 위에 제1 유전층을 형성하는 단계;도전성 입자를 포함하는 도전 페이스트를 상기 제1 유전층 위에 도포한 후 소성하여 제1 전극부를 형성하는 단계;상기 제1 유전층 및 상기 제1 전극부 위에 초박막 금속층을 형성하는 단계; 및열처리를 실시하여 상기 초박막 금속층을 형성하는 물질로 형성된 금속 나노 입자를 상기 제1 유전층 위에 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제19항에서,상기 에미터부를 형성하기 전에 상기 기판의 제1 면을 텍스처링 표면으로 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제19항에서,상기 초박막 금속층을 수㎚ 내지 수십㎚의 두께로 형성하는 태양전지의 제조 방법
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