| 1 |
1
제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 p형 반도체층과 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 n형 반도체층을 포함하는 적어도 하나의 광흡수층;상기 적어도 하나의 광흡수층의 전면에 위치하는 제1 전극; 및상기 적어도 하나의 광흡수층의 후면에 위치하는 제2 전극;을 포함하고,상기 적어도 하나의 광흡수층에서 상기 p형 반도체층의 에너지 밴드갭(Eg) 및 상기 n형 반도체층의 에너지 밴드갭 중 적어도 하나의 에너지 밴드갭은 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층이 서로 가장 인접한 면에서 멀어질수록 감소하고,상기 적어도 하나의 광흡수층에서 상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층에 도핑된 불순물 중 적어도 하나의 불순물 농도는 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층이 서로 가장 인접한 면에서 멀어질수록 감소하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 p형 반도체층의 에너지 밴드갭은 상기 n형 반도체층과 가장 인접한 면에서 멀어질수록 점진적으로 감소하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서, 상기 n형 반도체층의 에너지 밴드갭은 상기 p형 반도체층과 가장 인접한 면에서 멀어질수록 점진적으로 감소하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 4 |
4
제1 항 내지 제3 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 광흡수층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 순서대로 배치되는 제1 광흡수층과 제2 광흡수층을 포함하고,상기 제1 광흡수층은 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제1p 형 반도체층과 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제1n 형 반도체층을 포함하고, 상기 제2 광흡수층은 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제2p 형 반도체층과 상기 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제2n형 반도체층을 포함하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 5 |
5
제4 항에 있어서, 상기 제1p 형 반도체층의 상기 제1 도전성 타입의 불순물의 농도 및 상기 제1n 형 반도체층의 상기 제2 도전성 타입의 불순물 농도 중 적어도 하나는 상기 제1p 형 반도체층과 제1n 형 반도체층이 서로 가장 인접한 면으로부터 멀어질수록 점진적으로 감소하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 6 |
6
제4 항에 있어서,상기 제1 광흡수층은 InGaP 화합물에 알루미늄(Al)을 함유하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 제1p 형 반도체층 및 상기 제1n 형 반도체층 중 적어도 하나에서 상기 알루미늄(Al)의 함유량은 상기 제1p 형 반도체층과 상기 제1n 형 반도체층이 서로 가장 인접한 면으로부터 멀어질수록 점진적으로 감소하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 8 |
8
제4 항에 있어서,상기 제1 광흡수층의 에너지 밴드갭은 1
|
| 9 |
9
제4 항에 있어서, 상기 제2p 형 반도체층의 제1 도전성 타입의 불순물의 농도 및 상기 제2n 형 반도체층의 제2 도전성 타입의 불순물 농도 중 적어도 하나는 제2p 형 반도체층과 상기 제2n 형 반도체층이 서로 가장 인접한 면으로부터 멀어질수록 점진적으로 감소하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 10 |
10
제4 항에 있어서,상기 제2 광흡수층은 GaAs 화합물에 인듐(In)을 함유하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서,상기 제2 광흡수층은 질소(N)을 더 함유하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서,상기 제2p 형 반도체층 및 상기 제2n 형 반도체층 중 적어도 하나에서 상기 인듐(In) 및 상기 질소(N) 중 적어도 하나의 함유량은 상기 제2p 형 반도체층과 상기 제2n 형 반도체층이 서로 가장 인접한 면으로부터 멀어질수록 점진적으로 증가하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 13 |
13
제4 항에 있어서,상기 제2 광흡수층의 에너지 밴드갭은 0
|
| 14 |
14
제4 항에 있어서,상기 제1 광흡수층 및 상기 제2 광흡수층 각각은 상기 제1 도전성 타입의 반도체층과 상기 제2 도전성 타입의 반도체층 사이에 진성 반도체층을 더 포함하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 15 |
15
제4 항에 있어서,상기 제1 광흡수층과 상기 제1 전극 사이에는 윈도우층(window layer)을 더 포함하는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 16 |
16
제15 항에 있어서,상기 윈도우층은 입사면에 양자점(Quantum Dot)이 형성되어 있는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 17 |
17
제15 항에 있어서,상기 윈도우층과 상기 제1 전극 사이에는 상기 윈도우층에 도핑된 불순물보다 불순물의 도핑농도가 높은 제1 캡층(cap layer)이 더 포함되는 화합물 반도체 태양 전지
|
| 18 |
18
제4 항에 있어서,상기 제2 광흡수층과 상기 제2 전극 사이에는 상기 제2 광흡수층에 도핑된 상기 제1 도전성 타입의 불순물 또는 상기 제2 도전성 타입의 불순물보다 높은 농도로 도핑된 제2 캡층을 더 포함하는 화합물 반도체 태양 전지
|
