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탠덤구조 ＣＩＧＳ 박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 ＣＩＧＳ 박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2015070141
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탠덤(tandem) 구조 CIGS 박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 탠덤구조 CIGS 박막은 전극층이 증착된 기판 상부에 CIS와 CGS 각각의 단일타겟을 사용하여 단일 스퍼터링 처리하여 CIS 흡수층의 하부 셀과 CGS흡수층의 상부 셀을 차례로 적층하여 탠덤구조로 구성하며, 이를 이용하여 태양전지를 제조하게 된다. 따라서, 본 발명은 서로 다른 흡수계수를 가진 CIS층과 CGS층을 셀렌화 공정없이 단일 스퍼터링 증착공정으로 탠덤구조의 CIGS 광흡수층을 형성함으로써, 공정의 경제성 및 효율성 면에서 매우 유리한 효과를 가지며, 결정학적으로 매우 우수한 특성의 박막을 제조할 수 있어 그 효율이 극대화되는 태양전지를 얻을 수 있는 효과를 제공한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020130001529 (2013.01.07)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1438486-0000 (2014.09.01)
공개번호/일자 10-2014-0090325 (2014.07.17) 문서열기
공고번호/일자 (20141104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태원 대한민국 광주 광산구
2 박재철 대한민국 전남 장성군
3 이전량 대한민국 광주 서구
4 이승현 대한민국 광주 남구 군
5 구보라 대한민국 광주 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조의제 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 재승빌딩 *층 (역삼동)(프라임특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0014231-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0003580-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0142618-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0386787-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0386757-61
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0594442-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) 기판을 준비하는 단계;(2) 상기 기판 상부에 전극층을 증착하는 단계; (3) 상기 전극층의 상부에 하부 셀을 적층하는 단계; 및(4) 상기 하부 셀 상에 상부 셀을 적층하는 단계를 포함하며,상기 하부 셀은 CIS 단일타겟을 사용하여 스퍼터링 공정으로 CIS 흡수층이 증착되고, 상부 셀은 CGS 단일타겟을 사용하여 스퍼터링 공정으로 CGS 흡수층을 증착하여, 하부 셀과 상부 셀이 적층된 탠덤구조가 형성되어,셀렌화 공정없이도 타겟의 조성비와 동일한 조성비를 갖는 광흡수층 제작이 가능함을 특징으로 하는 탠덤구조 CIGS 박막 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 하부 셀의 CIS 흡수층은 상부 셀의 CGS 흡수층보다 긴 파장의 빛을 흡수하도록 CGS 흡수층보다 작은 밴드갭 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 탠덤구조 CIGS 박막 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 상부 셀의 CGS 흡수층은 하부 셀의 CIS 흡수층보다 짧은 파장의 빛을 흡수하도록 CIS 흡수층보다 큰 밴드갭 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 탠덤구조 CIGS 박막 제조방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 하부 셀을 적층하는 단계는 p-형 CIS 흡수층과, n-형 버퍼층을 차례로 적층하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 탠덤구조 CIGS 박막 제조방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 상부 셀을 적층하는 단계는 p-형 CGS 흡수층과, n-형 버퍼층을 차례로 적층하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 탠덤구조 CIGS 박막 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 하부 셀과 상부 셀 중간에는 불순물을 도핑시킨 pn접합의 터널다이오드를 구성하는 단계를 더 포함하는 탠덤구조 CIGS 박막 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 단일타겟 스퍼터링 공정은 파워 100W(1
8 8
제 1항 내지 제 7항 중 어느 한항에 따른 제조방법으로 제조된 탠덤구조 CIGS 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.