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발열원을 지지하기 위한 베이스부;상기 베이스부 내에 구비되고, 상기 발열원의 열을 전도하는 다공성 미세구조부 및 상기 다공성 미세구조부의 공극의 적어도 일부를 채우는 상변화 물질을 포함하는 방열부; 및상기 발열원과의 전기적 배선을 위하여 상기 베이스부에 구비되는 연결부를 포함하는 방열 지지기판
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제1항에 있어서,상기 방열부는 상기 다공성 미세구조부의 하부에 위치하는 열전도층 및 상기 다공성 미세구조부의 상부에 위치하는 열전도성 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 지지기판
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제1항에 있어서,상기 상변화 물질은 상기 발열원의 제1 발열온도와 제2 발열온도 사이에서 상변화가 일어나는 것을 특징으로 하는 방열 지지기판
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제1항에 있어서,상기 다공성 미세구조부는 구리, 니켈, 티타늄, 알루미늄 및 이들의 합금으로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 방열 지지기판
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제1항에 있어서,상기 상변화 물질은 유기계 상변화 물질 또는 무기계 상변화 물질을 포함하는 방열 지지기판
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제5항에 있어서,상기 무기계 상변화 물질은 MgCl2·6H2O, Al2(SO4)3·10H2O, NH4Al(SO4)2·12H2O, KAl(SO4)2·12H2O, Mg(SO3)2·6H2O, SrBr2·8H2O, Sr(OH)2·8H2O, Ba(OH)2·8H2O, Al(NO3)2·9H2O, Fe(NO3)2·6H2O, NaCH2S2O2·5H2O, Ni(NO3)2·6H2O, Na2S2O2·5H2O, ZnSO4·7H2O, CaBr2·6H2O, Zn(NO3)2·6H2O, Na2HPO4·12H2O, Na2CO3·10H2O, 및 CaCl2·6H2O로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 방열 지지기판
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제5항에 있어서,상기 유기계 상변화 물질은 테트라데칸, 옥타데칸, 노나데칸 및 아세트산으로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 방열 지지기판
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제2항에 있어서,상기 열전도층 또는 상기 열전도성 커버는 구리, 알루미늄, 아연, 니켈 및 이들의 합금으로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 방열 지지기판
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제1항에 있어서,상기 방열부는,상기 다공성 미세구조부의 표면에 그래핀, 그라파이트 및 탄소나노튜브로 구성된 군에서 선택된 어느 하나가 더 위치하는 것을 특징으로 하는 방열 지지기판
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열전도층, 상기 열전도층 상에 위치하는 다공성 미세구조부, 상기 다공성 미세구조부의 공극의 적어도 일부를 채우는 상변화 물질 및 상기 다공성 미세구조부 상에 위치하는 열전도성 커버를 포함하는 방열부 및 전기적 배선을 위한 연결부를 포함하는 방열 지지기판;상기 방열 지지기판 상에 위치하고, 상기 연결부와 전기적으로 연결되는 발열원; 및상기 발열원을 덮는 방열 덮개를 포함하고,상기 방열 지지기판은 상기 발열원을 지지하는 베이스부를 포함하고, 상기 방열부 및 상기 연결부는 상기 베이스부에 구비되는 것을 특징으로 하는 방열 패키지
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제10항에 있어서,상기 발열원은 집적회로 칩 소자 또는 발열 소자인 방열 패키지
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제10항에 있어서,상기 방열 지지기판의 방열부와 상기 발열원 사이에 위치하는 열계면물질을 더 포함하는 방열 패키지
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제10항에 있어서,상기 열전도성 커버 및 상기 발열원 사이에는 전기적 절연 및 열전도성 수지를 포함하는 충진재를 더 포함하는 방열 패키지
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제10항에 있어서,상기 방열부는,상기 다공성 미세구조부의 표면에 그래핀, 그라파이트 및 탄소나노튜브로 구성된 군에서 선택된 어느 하나가 더 위치하는 것을 특징으로 하는 방열 패키지
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제10항에 있어서,상기 상변화 물질은 상기 발열원의 제1 발열온도와 제2 발열온도 사이에서 상변화가 일어나는 것을 특징으로 하는 방열 패키지
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