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제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판;상기 기판의 전면(front surface)에 위치하고, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부;상기 전면의 반대면인 상기 기판의 후면(back surface)에 위치하는 후면 보호막;상기 후면 보호막의 후면에 위치하고, 복수의 개구부를 구비하는 유전체층;상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 후면 전계부; 상기 에미터부와 연결되는 제1 전극; 및상기 후면 전계부와 연결되는 제2 전극;을 포함하고,상기 후면 전계부는 상기 유전체층의 후면에 위치하며, 상기 유전체층의 개구부에 의해 노출된 상기 후면 보호막과 접촉하는 접촉부를 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 후면 보호막은 진성 비정질 실리콘(i-a-Si) 재질을 포함하는 태양 전지
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제2 항에 있어서,상기 후면 보호막은 실질적으로 상기 기판의 후면 전체에 형성되는 태양 전지
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제2 항에 있어서,상기 후면 보호막의 두께는 1
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제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 후면 전계부는 상기 유전체층 및 상기 후면 보호막과 직접 접촉하고, 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 제1 후면 전계층; 및상기 제1 후면 전계층의 후면에 위치하며, 상기 제1 후면 전계층과 직접 접촉하고, 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 상기 제1 후면 전계층보다 고농도로 도핑된 제2 후면 전계층;을 포함하는 태양 전지
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제5 항에 있어서,상기 제1 후면 전계층은 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑된 제1 비정질 실리콘층을 포함하는 태양 전지
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제5 항에 있어서,상기 제1 후면 전계층의 두께는 10nm ~ 30nm 사이인 태양 전지
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제6 항에 있어서,상기 제2 후면 전계층은상기 제1 비정질 실리콘층보다 상기 제1 도전성 타입의 불순물 농도가 높은 제2 비정질 실리콘층을 포함하는 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 제2 후면 전계층은 상기 제1 비정질 실리콘층보다 상기 제1 도전성 타입의 불순물 농도가 높은 미세 결정질 실리콘층을 더 포함하는 태양 전지
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10
제5 항에 있어서,상기 제2 후면 전계층의 두께는 10nm ~ 70nm 사이인 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 유전체층은 실리콘 질화막(SiN)인 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 유전체층의 두께는 50nm ~ 200nm 사이인 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 유전체층에서 개구부와 개구부 사이의 간격은 100μm ~ 500 μm 사이인 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 유전체층에 형성된 개구부의 평면 형상은 라인 타입 또는 도트(dot) 타입인 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 유전체층은 실리콘 질화막(SiN), 실리콘 산화막(SiO) ,실리콘 산화질화막(SiON) 및 실리콘 카바이드막(SiC) 중 적어도 하나로 형성되는 태양 전지
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16
제8 항에 있어서,상기 후면 전계부의 단위 면적당 면저항은 10Ω/sq ~ 50 Ω/sq 사이인 태양 전지
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제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판의 전면에 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부를 형성하는 단계;상기 전면의 반대면인 상기 기판의 후면에 진성 비정질 실리콘(i-a-Si) 재질을 포함하는 후면 보호막을 형성하는 단계;상기 후면 보호막의 후면에 유전체층을 형성하는 단계;상기 유전체층에 복수의 개구부를 형성하는 단계;상기 유전체층의 개구부에 의해 노출된 상기 후면 보호막과 접촉하는 콘택부를 포함하는 후면 전계부를 상기 유전체층의 후면에 형성하는 단계;상기 에미터부 위에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 후면 전계부의 후면에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 복수의 개구부를 형성하는 단계는레이저 빔을 이용하여 상기 유전체층을 관통하지 않는 복수의 홈을 상기 유전체층에 형성하는 단계; 및식각액을 이용하여 상기 복수의 홈을 더 식각하여, 상기 유전체층을 관통하는 상기 복수의 개구부를 형성하는 단계;를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제17 항 내지 제18 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 후면 전계부를 형성하는 단계는 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑된 제1 비정질 실리콘층을 상기 유전체층 및 상기 유전체층의 개구부에 의해 노출된 상기 후면 보호막의 후면에 증착하는 단계; 및상기 제1 비정질 실리콘층보다 상기 제1 도전성 타입의 불순물 농도가 높은 제2 비정질 실리콘층을 상기 제1 비정질 실리콘층의 후면에 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제19 항에 있어서,상기 후면 전계부를 형성하는 단계는 상기 제1 비정질 실리콘층보다 상기 제1 도전성 타입의 불순물 농도가 높은 미세 결정질 실리콘층을 상기 제2 비정질 실리콘층 위에 형성하는 단계;를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 유전체층을 형성하는 단계에서,상기 유전체층의 공정 온도는 300℃ ~ 400℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
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