| 1 |
1
제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판의 후면에, 상기 반도체 기판에 함유된 제1 도전성 타입의 불순물과 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물 중에서 선택된 어느 하나의 도전성 타입의 불순물을 함유하는 제1 전계부를 형성하는 단계;상기 제1 전계부의 도전성 타입과 반대의 도전성 타입의 불순물을 상기 제1 전계부에 함유된 불순물의 농도보다 고농도로 함유하는 보호막 페이스트를 상기 제1 전계부 위에 형성하는 단계;상기 보호막 페이스트의 일부 영역을 선택적으로 열처리하여 상기 보호막 페이스트에 함유된 도전성 불순물을 상기 제1 전계부의 일부 영역에 확산시킴으로써, 상기 제1 전계부의 일부 영역을 상기 제1 전계부의 도전성 타입과 반대의 도전성 타입의 불순물을 함유하는 제2 전계부로 형성하는 단계;상기 제1 전계부 및 상기 제2 전계부 위에 위치하는 상기 보호막 페이스트의 일부 영역에 복수의 개구부를 형성하여 보호막을 형성하는 단계;상기 제1 전계부에 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 전계부에 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양 전지 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 제1 전계부는 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하고, 상기 제2 전계부 및 상기 보호막은 상기 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 태양 전지 제조 방법
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서,상기 제1 도전성 타입은 n형이고, 상기 제2 도전성 타입은 p형이며, 상기 보호막 페이스트는 알루미늄 산화물(AlOx)을 포함하는 태양 전지 제조 방법
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서,상기 보호막 페이스트를 형성하는 단계에서, 상기 보호막 페이스트의 형성 두께는 10nm ~ 25nm 사이인 태양 전지 제조 방법
|
| 5 |
5
제2 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 전계부를 형성하는 단계는상기 보호막 페이스트의 일부 영역에 선택적으로 레이저 빔을 조사하여, 상기 보호막 페이스트에 함유된 상기 제2 도전성 타입의 불순물을 상기 제1 전계부의 일부 영역에 확산시켜 상기 제2 전계부를 형성하는 태양 전지 제조 방법
|
| 6 |
6
제5 항에 있어서,상기 제1 전계부를 형성하는 단계의 공정 온도는 800℃ ~ 900℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 제1 전계부를 형성하는 단계는확산로 내에서 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 공정 가스를 이용하여 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 확산시키는 태양 전지 제조 방법
|
| 8 |
8
제7 항에 있어서,상기 공정 가스는 POCl3 가스를 포함하는 태양 전지 제조 방법
|
| 9 |
9
제5 항에 있어서,상기 보호막 페이스트에 상기 복수의 개구부를 형성하는 단계는레이저 빔을 상기 제1 전계부 위에 위치하는 상기 보호막 페이스트의 일부 영역 및 상기 제2 전계부 위에 위치하는 상기 보호막 페이스트의 일부 영역에 각각 선택적으로 조사하여 상기 복수의 개구부를 형성하는 태양 전지 제조 방법
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서,상기 보호막 페이스트에 상기 복수의 개구부를 형성하는 단계에 사용되는 레이저 빔의 파워는 상기 제2 전계부를 형성시키는 단계에 사용되는 레이저 빔의 파워보다 큰 태양 전지 제조 방법
|
| 11 |
11
제5 항에 있어서,상기 보호막 페이스트에 상기 복수의 개구부를 형성하는 단계는복수의 개구부를 구비한 마스크를 상기 보호막 페이스트 위에 형성하는 단계; 및상기 마스크의 개구부에 의해 노출된 상기 보호막 페이스트의 일부 영역을 식각하여 상기 보호막 페이스트에 복수의 개구부를 형성하는 태양 전지 제조 방법
|
| 12 |
12
제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판;상기 반도체 기판 후면의 일부 영역에 위치하며, 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 제1 전계부;상기 반도체 기판 후면의 나머지 일부 영역에 위치하며, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 제2 전계부;상기 제1 전계부 및 상기 제2 전계부 위에 위치하며, 상기 제1 전계부 및 상기 제2 전계부 각각이 노출되는 복수의 개구부를 구비하는 보호막;상기 제1 전계부에 연결되는 제1 전극; 및상기 제2 전계부에 연결되는 제2 전극;을 포함하고,상기 보호막은 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 상기 제2 전계부에 함유된 상기 제2 도전성 타입의 불순물의 농도보다 고농도로 함유하거나, 상기 제2 도전성 타입의 불순물을 상기 제1 전계부에 함유된 상기 제1 도전성 타입의 불순물의 농도보다 고농도로 함유하는 태양 전지
|
| 13 |
13
제12 항에 있어서,상기 보호막은 알루미늄 산화물(AlOx)을 포함하는 태양 전지
|
| 14 |
14
제12 항에 있어서,상기 보호막의 두께는 10nm ~ 25nm 사이인 태양 전지
|
| 15 |
15
삭제
|
