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기판;상기 기판 위에 위치하며, 상기 기판에 입사된 광을 출사하는 광 출사면이 복수의 미세 요철을 구비한 텍스처링 표면으로 형성되는 광 투과 전극;상기 광 투과 전극의 상기 텍스처링 표면 위에 위치하는 제1 전도성 고분자층;상기 제1 전도성 고분자층 위에 위치하는 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 위에 위치하며, 상기 광전 변환부를 투과한 빛을 상기 광전 변환부로 반사하는 반사 전극을 포함하는 박막 태양전지
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제1항에서,상기 제1 전도성 고분자층은 상기 텍스처링 표면 위에 위치하는 복수의 제1 전도성 입자를 포함하는 박막 태양전지
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제2항에서,상기 제1 전도성 입자는 상기 미세 요철의 피크(peak) 부분에 위치하는 박막 태양전지
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제2항에서,상기 제1 전도성 입자는 상기 미세 요철의 밸리(valley) 부분에 위치하는 박막 태양전지
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제2항에서,상기 제1 전도성 입자는 상기 미세 요철의 피크 부분 및 밸리 부분에 각각 위치하는 박막 태양전지
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제2항에서,상기 복수의 제1 전도성 입자는 폴리(설퍼니트릴)(poly(sulfurnitrile)), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리(p-페닐렌)(poly(p-phenylene)), 폴리(페닐렌 설파이드)(poly(phenylene sulfide)), 폴리아닐린(polyaniline) 또는 폴리(p-페닐렌비닐렌)(poly(p-pheenylenevinylene)으로 형성되는 박막 태양전지
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제2항에서,상기 복수의 제1 전도성 입자의 굴절률은 상기 광 투과 전극의 굴절률과 다르게 형성되는 박막 태양전지
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제2항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 광전 변환부는 p-i-n 반도체층을 포함하는 적어도 하나의 광전 변환층을 포함하며, 상기 p형 반도체층은 상기 텍스처링 표면 및 상기 제1 전도성 입자들과 동시에 접촉하는 박막 태양전지
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제8항에서,상기 n형 반도체층과 상기 반사 전극 사이에 제2 전도성 고분자층이 위치하는 박막 태양전지
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제9항에 있어서,상기 반사 전극은 상기 n형 반도체층과 접촉하는 후면 반사층 및 상기 후면 반사층 위에 위치하는 후면 전극층을 포함하며, 상기 제2 전도성 고분자층은 상기 n형 반도체층과 상기 후면 반사층 사이에 위치하는 박막 태양전지
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11
제10항에서,상기 제2 전도성 고분자층은 복수의 제2 전도성 입자를 포함하는 박막 태양전지
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제11항에서,상기 복수의 제2 전도성 입자는 폴리(설퍼니트릴)(poly(sulfurnitrile)), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리(p-페닐렌)(poly(p-phenylene)), 폴리(페닐렌 설파이드)(poly(phenylene sulfide)), 폴리아닐린(polyaniline) 또는 폴리(p-페닐렌비닐렌)(poly(p-pheenylenevinylene)으로 형성되는 박막 태양전지
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제11항에서,상기 복수의 제2 전도성 입자의 굴절률은 상기 복수의 제1 전도성 입자의 굴절률과 동일하게 형성되는 박막 태양전지
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