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서로 마주 보며 위치하는 제1 투명 기판과 제2 투명 기판; 및상기 제1 투명 기판의 후면 위에 위치하는 제1 전극;상기 제2 투명 기판의 전면에 위치하는 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 복수의 태양 전지 셀;을 포함하고,상기 복수의 태양 전지 셀 각각은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고, 적어도 하나의 p형 반도체층, i형(진성) 반도체층, n형 반도체층을 포함하는 광전 변환부를 포함하고, 상기 복수의 태양 전지 셀에서 상기 광전 변환부는 상기 제1 전극의 후면에 위치하는 제1 광전 변환층과, 상기 제1 광전 변환층과 상기 제2 전극 사이에 제2 광전 변환층을 포함하고, 상기 제1 광전 변환층과 상기 제2 광전 변환층 사이에는 중간 반사층을 더 포함하며, 상기 중간 반사층은 산소(O)를 함유한 미세 결정질 실리콘(μc-SiOx) 재질을 포함하고,상기 복수의 태양 전지 셀은 입사되는 빛 중에서 300nm ~ 800nm 이하의 빛은 70% 이상 흡수하고, 800nm ~ 1100 nm 사이의 빛은 70% 이상 투과하고,상기 제1 광전 변환층의 밴드갭 에너지(Eg)는 1
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제1 항에 있어서,상기 복수의 태양 전지 셀 각각에 포함된 상기 제1 전극, 상기 광전 변환부, 및 상기 제2 전극은 제1 방향으로 형성된 복수의 제1 방향 스크라이빙 패턴에 의해 구분되고, 상기 복수의 태양 전지 셀 각각은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 형성되며, 상기 복수의 태양 전지 셀 각각에 포함된 상기 광전 변환부의 일부 영역을 제거하는 복수의 제2 방향 스크라이빙 패턴을 포함하지 않는 건물 일체형 태양 전지 모듈
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제1 항에 있어서,상기 제1 광전 변환층은 비정질 실리콘(a-Si) 재질을 포함하고, 상기 제2 광전 변환층은 게르마늄(Ge)이 함유된 비정질 실리콘(a-SiGe) 재질을 포함하는 건물 일체형 태양 전지 모듈
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제4 항에 있어서,상기 제1 광전 변환층의 밴드갭 에너지(Eg)는 상기 제2 광전 변환층의 밴드갭 에너지(Eg)보다 높고, 제1 광전 변환층의 밴드갭 에너지(Eg)은 상기 제2 광전 변환층의 밴드갭 에너지(Eg)과 중첩되지 않는 건물 일체형 태양 전지 모듈
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제1 항에 있어서,상기 제2 광전 변환층의 게르마늄(Ge)이 함유량은 10at%(원자량 퍼센트) ~ 53at% 사이인 건물 일체형 태양 전지 모듈
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제1 항에 있어서,상기 건물 일체형 태양 전지 모듈은 상기 복수의 태양 전지 셀의 양쪽 최외곽 셀과 전기적으로 연결되는 정션 박스;를 더 포함하고,상기 정션 박스는 상기 제2 투명 기판의 후면 영역 중 가장 자리에 위치하는 건물 일체형 태양 전지 모듈
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제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 투명한 전기 전도성 재질을 포함하는 건물 일체형 태양 전지 모듈
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