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제1 도전형을 가지는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판의 일면에 마스크를 이용하여 제1 도전형 불순물을 포함하는 도핑 페이스트를 도포하는 단계; 상기 도핑 페이스트를 열처리하여 상기 반도체 기판의 일면에 후면 전계층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 다른 일면에 에미터층을 형성하는 단계; 상기 후면 전계층에 연결되는 제1 전극 및 상기 에미터층에 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 후면 전계층을 형성하는 단계에서는, 상기 마스크가 위치하여 상기 도핑 페이스트가 형성되지 않은 부분에 아이솔레이션 부가 형성되고,상기 에미터층을 형성하는 단계는 상기 후면 전계층 형성 후 상기 도핑 페이스트가 있는 상태에서 상기 에미터층을 형성하고 상기 도핑 페이스트를 제거하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 마스크는 상기 반도체 기판의 가장자리를 따라 형성되는 프레임 형상을 가지는 에지 마스크를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 에지 마스크의 폭 및 상기 아이솔레이션 부의 폭이 0
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제1항에 있어서,상기 후면 전계층은 상기 아이솔레이션 부를 제외한 영역에 전체적으로 형성되는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 후면 전계층은, 상기 제2 전극에 대응하는 부분에 형성된 제1 부분 및 상기 아이솔레이션 부를 제외한 영역에 전체적으로 형성되는 제2 부분을 포함하는 선택적 구조(selective structure)를 가지는 태양 전지의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 마스크는 상기 제2 부분에 대응하는 부분보다 상기 제1 부분에 대응하는 부분에서 높은 개구율을 가져, 상기 도핑 페이스트가 상기 제2 부분에 대응하는 부분보다 상기 제1 부분에 대응하는 부분에서 넓은 면적비를 가지도록 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 후면 전계층을 형성하는 단계에서 상기 제1 부분에 대응하는 부분에 상기 제1 도전형 불순물을 추가적으로 도핑하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 후면 전계층은, 상기 제2 전극에 대응하는 부분에 형성된 제1 부분을 포함하는 국부적 구조(local structure)를 가지며,상기 제1 부분의 가장자리와 상기 반도체 기판의 가장자리 사이에 아이솔레이션 부가 위치하는 태양 전지의 제조 방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 도핑 페이스트는 희석된 불산에 의하여 제거되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 도핑 페이스트의 열처리는 800℃ 내지 900℃에서 5분 내지 10분 동안 수행되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 도핑 페이스트의 열처리는 산소 및 질소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 대기 분위기에서 수행되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 에미터층을 형성하는 단계에서 상기 에미터층은 열 확산법 또는 이온 주입법에 의하여 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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