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기판;상기 기판 위에 위치하며, 상기 기판에 입사된 광을 투과시키는 광 투과 전극;상기 광 투과 전극 위에 위치하는 적어도 하나의 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 위에 위치하며, 상기 광전 변환부를 투과한 빛을 상기 광전 변환부로 반사하는 반사 전극을 포함하며,상기 광 투과 전극은 제1 밴드갭을 갖는 제1 전극층 및 상기 제1 밴드갭보다 높은 제2 밴드갭을 갖는 제2 전극층을 포함하고,상기 제1 전극층은 상기 광전 변환부를 향하는 광 출사면이 텍스처링 표면으로 형성되는 박막 태양전지
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제1항에서,상기 제1 전극층은 상기 기판과 접촉하고, 상기 제2 전극층은 상기 제1 전극층과 상기 광전 변환부 사이에 위치하는 박막 태양전지
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제2항에서,상기 제2 전극층은 광 입사면 및 광 출사면이 상기 제1 전극층의 텍스처링 표면과 동일한 패턴의 텍스처링 표면으로 형성되는 박막 태양전지
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제1항에서,상기 제2 전극층은 상기 기판과 접촉하고, 상기 제1 전극층은 상기 제2 전극층과 상기 광전 변환부 사이에 위치하는 박막 태양전지
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5
제4항에서,상기 제2 전극층과 상기 제1 전극층 사이에 버퍼층이 더 형성되는 박막 태양전지
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제5항에서,상기 버퍼층은 실리콘 산화질화물, 비정질 실리콘(a-Si) 및 이산화티탄(TiO2) 중 적어도 하나를 포함하는 비정질 재질로 형성되는 박막 태양전지
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제4항에서,상기 제2 전극층은 광 입사면 및 광 출사면이 실질적으로 평탄하게 형성되는 박막 태양전지
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 제1 전극층은 알루미늄이 도핑된 아연 산화물(Al-doped ZnO)로 형성되고, 상기 제2 전극층은 텅스텐이 도핑된 인듐 산화물(Tungsten-doped Indium oxide)로 형성되는 박막 태양전지
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 제1 전극층은 대략 3
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 제2 전극층은 상기 제1 전극층에 비해 낮은 캐리어 농도를 갖는 박막 태양전지
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 제2 전극층은 300 내지 400㎚의 파장대역 및 900㎚ 이상의 파장대역에서 상기 제1 전극층에 비해 낮은 광 흡수도를 갖는 박막 태양전지
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 광 투과 전극은 0
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제12항에서,상기 제1 전극층은 상기 제2 전극층에 비해 얇게 형성되는 박막 태양전지
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제13항에서,상기 제1 전극층은 0
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