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실리콘 반도체를 포함하는 기판;상기 기판 상에 위치하는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하고, 제 1도핑 농도를 가지는 제 1전도성의 질화물 반도체를 포함하는 제 1반도체층; 상기 제 1반도체층 상에 위치하고 제 2도핑 농도를 가지는 제 1전도성의 질화물 반도체를 포함하는 제 2반도체층;상기 제 1반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하고, 상기 제 1도핑 농도와 제 2도핑 농도 사이에서 변화하는 도핑 농도를 가지는 질화물 반도체를 포함하는 제 3반도체층;상기 제 3반도체층 상에 위치하는 활성층; 및상기 활성층 상에 위치하는 제 2전도성의 제 4반도체층;상기 제 1반도체층 또는 제 2반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및상기 제 4반도체층과 전기적으로 연결되는 제 2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 제 3반도체층은, 도핑 농도가 상기 제 1도핑 농도와 제 2도핑 농도 사이에서 선형적 또는 단계적으로 변화하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제 2항에 있어서, 상기 도핑 농도의 단계적 변화는, 일단계 또는 다단계로 변화하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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4
제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은,AlN을 포함하는 제 1버퍼층; 및AlGaN을 포함하는 제 2버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 제 1도핑 농도는, 제 2도핑 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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6
제 1항에 있어서, 상기 제 1반도체층은, 제 2반도체층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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7
도전성 지지층;상기 도전성 지지층 상에 위치하는 결합 금속층;상기 결합 금속층 상에 위치하는 제 1전극;상기 제 1전극 상에 위치하고, 제 1전도성의 질화물 반도체를 포함하는 제 1반도체층;상기 제 1반도체층 상에 위치하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하고, 제 1도핑 농도를 가지는 제 2전도성의 질화물 반도체를 포함하는 제 2반도체층;상기 제 1반도체층 상에 위치하고, 제 2도핑 농도를 가지는 제 2전도성의 질화물 반도체를 포함하는 제 3반도체층;상기 제 2반도체층과 제 3반도체층 사이에 위치하고, 상기 제 1도핑 농도와 제 2도핑 농도 사이에서 변화하는 도핑 농도를 가지는 질화물 반도체를 포함하는 제 4반도체층;상기 제 4반도체층과 전기적으로 연결되는 제 2전극; 및상기 제 4반도체층의 적어도 일부에 형성된 광 추출 구조를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제 7항에 있어서, 상기 제 4반도체층은, 도핑 농도가 상기 제 1도핑 농도와 제 2도핑 농도 사이에서 선형적 또는 단계적으로 변화하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제 8항에 있어서, 상기 도핑 농도의 단계적 변화는, 일단계 또는 다단계로 변화하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제 7항에 있어서, 상기 광 추출 구조에는, AlN을 포함하는 제 1층 및 AlGaN을 포함하는 제 2층 중 적어도 하나가 포함되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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