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제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판;상기 기판의 전면에 위치하고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부;상기 기판의 후면에 위치하고, 복수의 개구부를 구비하는 후면 보호막;상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 후면 전계부; 상기 에미터부와 연결되는 제1 전극; 및상기 후면 전계부와 연결되는 제2 전극;을 포함하고,상기 후면 전계부는 상기 후면 보호막 후면 위에 위치하고 복수의 개구부를 구비하는 제1 후면 전계부와, 상기 후면 보호막의 복수의 개구부에 의해 노출된 상기 기판의 후면 내부에 위치하는 제2 후면 전계부를 포함하고,상기 제1 후면 전계부는 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 상기 기판보다 고농도로 도핑된 미세 결정질 실리콘층(mc-Si)과 상기 후면 보호막과 상기 미세 결정질 실리콘층(mc-Si) 사이에 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 함유된 비정질 실리콘(a-Si)층을 구비하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제2 후면 전계부는 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 상기 기판보다고농도로 도핑된 결정질 실리콘층(C-Si)을 포함하는 태양 전지
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삭제
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삭제
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제1 항에 있어서,상기 제1 후면 전계부에 구비된 상기 비정질 실리콘(a-Si)층의 도핑 농도는 상기 미세 결정질 실리콘층(mc-Si)의 도핑 농도보다 낮은 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 후면 보호막은 진성 비정질 실리콘층(i-a-Si)을 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 태양 전지는 상기 제1 후면 전계부의 후면 위에 위치하고, 복수의 개구부를 구비하는 유전체층을 더 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 제1 후면 전계부 및 상기 제2 후면 전계부 각각과 직접 접촉되는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 후면 전계부와 상기 제2 후면 전계부는 공간적으로 서로 이격되어 있는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 후면 전계부와 상기 제2 후면 전계부는 상기 제2 전극을 통하여 전기적으로 연결되는 태양 전지
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11
제1 항에 있어서,상기 후면 보호막의 두께는 10nm ~ 50nm 사이인 태양 전지
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12
제1 항에 있어서,상기 제1 후면 전계부의 두께는 10nm ~ 50nm 사이인 태양 전지
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13
제1 항에 있어서,상기 제2 후면 전계부의 도핑 깊이는 3μm ~ 5 μm 사이인 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 후면 전계부에 형성된 복수의 개구부 사이의 간격은 0
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제7 항에 있어서,상기 유전체층은 실리콘 질화막(SiNx)을 포함하는 태양 전지
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제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판의 전면에 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부를 형성하는 단계;상기 기판의 후면에 진성 비정질 실리콘층(i-a-Si)을 포함하는 후면 보호막을 형성하는 단계;상기 후면 보호막의 후면 위에 제1 후면 전계부를 형성하는 단계;레이저 빔을 상기 제1 후면 전계부 후면 위에 선택적으로 조사하여, 상기 후면 보호막 및 상기 제1 후면 전계부에 복수의 개구부를 형성하고, 상기 복수의 개구부에 의해 노출되는 상기 기판의 후면에 제2 후면 전계부를 형성하는 단계;상기 에미터부와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1 후면 전계부 및 상기 제2 후면 전계부에 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 제1 후면 전계부를 형성하는 단계는 상기 후면 보호막 위에 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 상기 기판보다 고농도로 도핑된 미세 결정질 실리콘층(mc-Si)을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 제1 후면 전계부를 형성하는 단계는 상기 미세 결정질 실리콘층(mc-Si)을 형성하기 이전에 상기 후면 보호막 위에 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하되, 상기 미세 결정질 실리콘층(mc-Si)의 도핑 농도보다 낮은 비정질 실리콘(a-Si)층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 태양 전지 제조 방법은 상기 제1 후면 전계부 위에 유전체층을 형성하는 단계;를 더 포함하고,상기 레이저 빔은 상기 유전체층 위에 선택적으로 조사되는 태양 전지 제조 방법
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제19 항에 있어서,상기 유전체층의 공정 온도는 300℃ ~ 400℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
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