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반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판의 표면이 10㎛ 내지 40㎛ 크기의 절삭 마크(saw mark)를 가지도록 상기 반도체 기판을 절삭 손상 식각(saw damage etching)하는 단계; 및상기 반도체 기판에 광전 변환부 및 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판의 표면이 15㎛ 내지 30㎛ 크기의 절삭 마크를 가지는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 절삭 손상 식각은 순수(deionized water), 염기성 물질 및 유기 용매를 포함하는 식각 용액을 이용하여 수행되는 태양 전지의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 염기성 물질이 40 내지 45 중량%의 수산화 칼륨 용액을 포함하고, 상기 순수의 부피에 대한 상기 수산화 칼륨 용액의 부피 비율이 0
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제3항에 있어서, 상기 유기 용매가 알코올 계열 물질을 포함하고, 상기 순수의 부피에 대한 상기 유기 용매의 부피 비율이 0
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제3항에 있어서, 상기 절삭 손상 식각은 1분 내지 20분의 공정 시간 동안 수행되는 태양 전지의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 절삭 손상 식각은 70℃ 내지 90℃의 온도에서 수행되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광전 변환부 및 전극을 형성하는 단계에서, 상기 광전 변환부가 상기 반도체 기판에 형성되는 다결정 또는 비정질의 반도체층을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 광전 변환부 및 전극을 형성하는 단계에서, 상기 전극이 상기 반도체 기판의 일면에서 서로 이격되어 형성되는 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 반도체 기판의 다른 일면은 텍스쳐링되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 태양 전지에서 캐리어의 유효 수명이 300㎲ 내지 2000㎲인 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 태양 전지의 개방 전압(implied Voc)이 0
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제1항에 있어서,상기 태양 전지의 표면 재결합 속도가 1cm/s 내지 25cm/s인 태양 전지의 제조 방법
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10㎛ 내지 40㎛ 크기의 절삭 마크를 가지는 절삭 표면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 형성되는 광전 변환부; 및상기 반도체 기판 및 상기 광전 변환부 중 적어도 하나에 연결되는 전극을 포함하는 태양 전지
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제13항에 있어서, 상기 반도체 기판의 표면이 15㎛ 내지 30㎛ 크기의 절삭 마크를 가지는 태양 전지
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제13항에 있어서,상기 광전 변환부가 상기 반도체 기판의 상기 절삭 표면에 형성되는 다결정 또는 비정질의 반도체층을 포함하는 태양 전지
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제13항에 있어서, 상기 전극이 상기 반도체 기판의 상기 절삭 표면에서 서로 이격되어 형성되는 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 반도체 기판의 다른 표면은 텍스쳐링에 의하여 형성된 요철을 구비하는 태양 전지
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제13항에 있어서, 상기 태양 전지에서 캐리어의 유효 수명이 300㎲ 내지 2000㎲인 태양 전지
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제13항에 있어서,상기 태양 전지의 개방 전압(implied Voc)이 0
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제13항에 있어서,상기 태양 전지의 표면 재결합 속도가 1cm/s 내지 25cm/s인 태양 전지
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