| 1 |
1
기판; 상기 기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 차례로 형성되는 제1 도전형 반도체층, 진성 반도체층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 변환 부분을 포함하는 광전 변환부; 및 상기 광전 변환부 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고, 상기 진성 반도체층은 실리콘-게르마늄(SiGe)를 포함하고, 상기 광전 변환부는 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 진성 반도체층 사이 및 상기 진성 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이 중 적어도 하나에 위치하는 버퍼층을 더 포함하고, 상기 버퍼층은, 상기 진성 반도체층과 인접한 제1 면과, 상기 제1 면과 반대되는 제2 면을 포함하고,상기 버퍼층의 상기 제1 면 및 상기 제2 면은 수소(H) 함량이 서로 다른 태양 전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 버퍼층은, 상기 제2 면으로부터 상기 제1 면까지 향하면서 상기 수소 함량이 점진적으로 증가하는 태양 전지
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 버퍼층의 상기 수소 함량이 8 at% 내지 20 at%인 태양 전지
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 버퍼층의 상기 제2 면에서 상기 수소 함량이 8 at% 내지 13 at%이고, 상기 버퍼층의 상기 제1 면에서 상기 수소 함량이 15 at% 내지 20 at%인 태양 전지
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 버퍼층의 상기 제1 면 및 상기 제2 면은 게르마늄(Ge) 함량이 서로 다른 태양 전지
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 버퍼층은, 상기 제2 면으로부터 상기 제1 면까지 향하면서 상기 게르마늄 함량이 점진적으로 증가하는 태양 전지
|
| 7 |
7
제5항에 있어서, 상기 버퍼층의 상기 게르마늄 함량이 0 at% 내지 50 at%인 태양 전지
|
| 8 |
8
제5항에 있어서,상기 버퍼층의 상기 제2 면에서 상기 게르마늄 함량이 0 at% 내지 3 at%이고, 상기 버퍼층의 상기 제1 면에서 상기 게르마늄 함량이 30 at% 내지 50 at%인 태양 전지
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 버퍼층이 실리콘 재질로 구성되는 태양 전지
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 버퍼층이 진성의 비정질 또는 미세 결정 실리콘을 포함하는 태양 전지
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 버퍼층은, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 진성 반도체층 사이에 위치하는 제1 버퍼층; 및 상기 진성 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 제2 버퍼층을 포함하고, 상기 제1 도전형의 반도체층에 인접한 상기 제1 버퍼층의 제2 면으로부터 상기 진성 반도체층에 인접한 상기 제1 버퍼층의 제1 면으로 향하면서 상기 제1 버퍼층의 상기 수소 함량이 증가하고, 상기 제2 도전형의 반도체층에 인접한 상기 제2 버퍼층의 제2 면으로부터 상기 진성 반도체층에 인접한 상기 제2 버퍼층의 제1 면으로 향하면서 상기 제2 버퍼층의 상기 수소 함량이 증가하는 태양 전지
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 제1 버퍼층은, 상기 제1 버퍼층의 상기 제2 면으로부터 상기 제1 버퍼층의 상기 제1 면까지 향하면서 게르마늄 함량이 점진적으로 증가하고, 상기 제2 버퍼층은, 상기 제2 버퍼층의 상기 제2 면으로부터 상기 제2 버퍼층의 상기 제1 면까지 향하면서 게르마늄 함량이 점진적으로 증가하는 태양 전지
|
| 13 |
13
제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 버퍼층의 상기 수소 함량이 8 at% 내지 20 at%이고, 상기 제1 및 제2 버퍼층의 게르마늄 함량이 0 at% 내지 50 at%인 태양 전지
|
| 14 |
14
제11항에 있어서,상기 제1 및 제2 버퍼층의 상기 제2 면에서 상기 수소 함량이 8 at% 내지 13 at%이고, 상기 제1 및 제2 버퍼층의 상기 제1 면에서 상기 수소 함량이 15 at% 내지 20 at%이며, 상기 제1 및 제2 버퍼층의 상기 제2 면에서 게르마늄 함량이 0 at% 내지 3 at%이고, 상기 제1 및 제2 버퍼층의 상기 제1 면에서 게르마늄 함량이 30 at% 내지 50 at%인 태양 전지
|
| 15 |
15
제11항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층이 p형을 가지고, 상기 제2 도전형 반도체층이 n형을 가지며, 상기 제1 버퍼층의 두께가 상기 제2 버퍼층의 두께보다 작은 태양 전지
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 제1 버퍼층의 두께가 5nm 내지 30nm이고, 상기 제2 버퍼층의 두께가 50nm 내지 150nm인 태양 전지
|
| 17 |
17
제11항에 있어서,상기 제1 및 제2 버퍼층 중 적어도 하나가 실리콘 재질로 구성되는 태양 전지
|
| 18 |
18
제17항에 있어서,상기 제1 및 제2 버퍼층 중 적어도 하나가 진성의 비정질 또는 미세 결정 실리콘을 포함하는 태양 전지
|
| 19 |
19
제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층은 비정질 또는 미세 결정 실리콘을 포함하고, 산소 및 탄소 중 적어도 하나를 더 포함하는 태양 전지
|
| 20 |
20
제1항에 있어서,상기 광전 변환부는, 상기 제1 전극과 상기 변환 부분 사이에 위치하는 별도의 변환 부분을 더 포함하고, 상기 별도의 변환 부분의 진성 반도체층은 비정질 또는 미세 결정 실리콘을 포함하는 태양 전지
|
