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a-면 또는 m-면 질화물계 반도체를 포함하는 제 1전도성의 제 1반도체층;상기 제 1반도체층 상에 위치하고, 도핑되지 않은 질화물계 반도체를 포함하는 제 2반도체층;상기 제 2반도체층 상에 위치하고, 제 1발광 파장의 빛을 방출하도록 인듐을 포함하는 제 1두께의 질화물계 반도체를 가지고, 상기 제 1두께는 상기 제 1발광 파장을 방출하기 위한 c-면 질화물계 반도체보다 두꺼운 활성층;상기 활성층 상에 위치하고, 도핑되지 않은 질화물계 반도체를 포함하는 제 3반도체층; 및상기 제 3반도체층 상에 위치하고, 질화물계 반도체를 포함하는 제 2전도성의 제 4반도체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 활성층의 제 1두께는, 5 nm 내지 15 nm인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 활성층의 제 1두께는, 상기 제 1발광 파장을 방출하기 위한 c-면 질화물 반도체보다 2배 내지 10배 두꺼운 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 활성층과 제 3반도체층 사이에는, 상기 활성층에서 인듐의 휘발을 방지하기 위한 질화물계 반도체를 포함하는 캡층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
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기판 상에, 제 1형 도펀트를 포함하는 제 1전도성의 질화물계 반도체를 포함하는 제 1반도체층을 성장시키는 단계;상기 제 1반도체층 상에 도펀트를 포함하지 않는 질화물계 반도체를 포함하는 제 2반도체층을 제 1온도에서 성장시키는 단계;상기 제 2반도체층 상에 상기 제 1온도보다 낮은 제 2온도에서 인듐을 포함하는 질화물계 반도체를 포함하는 활성층을 성장시키는 단계;상기 제 2온도보다 높은 제 3온도에서 상기 활성층을 열처리하는 단계;상기 활성층 상에 도펀트를 포함하지 않는 질화물계 반도체를 포함하는 제 3반도체층을 성장시키는 단계; 및상기 제 3반도체층 상에 제 2형 도펀트를 포함하는 제 2전도성의 질화물계 반도체를 포함하는 제 4반도체층을 성장시키는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 제 1반도체층, 제 3반도체층 및 제 4반도체층 적어도 어느 하나는 상기 제 1온도에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 제 3온도는 상기 제 2온도와 제 1온도의 사이인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 활성층 성장 이후에는, 상기 활성층 상에 질화물계 반도체를 포함하는 캡층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 캡층을 성장시키는 단계는, 상기 제 2온도에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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10
제 8항에 있어서, 상기 캡층은, 상기 인듐의 휘발을 방지하기 위한 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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11
제 5항에 있어서, 상기 활성층은, 제 1발광 파장의 빛을 방출하도록 인듐을 포함하는 제 1두께의 질화물계 반도체를 가지고, 상기 제 1두께는 상기 제 1발광 파장을 방출하기 위한 c-면 질화물계 반도체보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 활성층의 제 1두께는, 5 nm 내지 15 nm인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 제 3온도는, 상기 제 2온도보다 20 ℃ 내지 400 ℃ 높은 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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