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금속 기판을 포함하는 성장 기판을 준비하는 단계;상기 성장 기판 상에 질화물계 반도체를 포함하는 반도체 구조를 형성하는 단계;상기 반도체 구조 상에 지지 구조를 제공하는 단계; 및상기 성장 기판을 분리하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 성장 기판을 준비하는 단계는, 상기 금속 기판 상에 질화물계 반도체 성장을 위한 성장 기저층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 성장 기저층을 형성하는 단계는,상기 금속 기판 상에 h-질화 붕소(h-BN)를 형성하는 단계; 및상기 h-질화 붕소(h-BN) 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 성장 기판과 반도체 구조 사이에는, 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 성장 기판을 분리하는 단계는, 전기 분해 과정에 의하여 분리하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 성장 기판을 분리하는 단계는, 상기 금속 기판과 성장 기저층 사이에 기포를 발생시킴으로써 분리하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 반도체 구조를 최종 기판으로 전사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 반도체 구조를 형성하는 단계는,상기 성장 기판 상에 n-형 반도체층을 형성하는 단계;상기 n-형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 p-형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속 기판은, Ni, Cu, Pt, Pd, Rh, Co, Fe, Au, Al, Cr, Mg, Mn, Mo, Ta, Ti, W, U, V 및 Zr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 성장 기저층의 그래핀은 확산 방지막 또는 보호막으로 작용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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