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태양 전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015070670
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 반도체 기판의 일면에 제1 불순물층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 타면에 단면 식각법에 의하여 요철을 형성하면서 상기 반도체 기판의 측면을 함께 식각하는 텍스쳐링하는 단계; 상기 반도체 기판의 상기 타면에 제2 불순물층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 불순물층 및 상기 제2 불순물층에 각기 전기적으로 연결되는 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020130018795 (2013.02.21)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-2060710-0000 (2019.12.23)
공개번호/일자 10-2014-0105095 (2014.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20191230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.12)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경수 대한민국 서울특별시 서초구
2 김진성 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0158867-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1235811-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0300990-29
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-0655806-26
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0655805-81
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0787423-07
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.11.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1221887-25
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0912204-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판의 일면 및 타면에 습식 식각을 이용해 제1 요철을 형성하는 제1 텍스쳐링 하는 단계;상기 제1 텍스쳐링된 반도체 기판의 일면에 제1 불순물층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 타면의 상기 제1 요철 상에 상기 제1 요철보다 작은 제2 요철을 형성하는 동시에, 상기 반도체 기판의 측면에 형성된 상기 제1 불순물층을 반응성 이온 식각법에 의해 식각하는 제2 텍스쳐링하는 단계;; 상기 반도체 기판의 상기 타면에 제2 불순물층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 불순물층 및 상기 제2 불순물층에 각기 전기적으로 연결되는 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 불순물층을 형성하는 단계에 의하여 상기 반도체 기판의 상기 일면에 비정질화된 부분이 형성되고, 상기 텍스쳐링하는 단계에서 상기 비정질화된 부분이 식각되는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 불순물층을 형성하는 단계는 이온 주입법에 의해 수행되는 태양 전지의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 반도체 기판 및 상기 제1 불순물층이 n형 불순물을 포함하고, 상기 제2 불순물층이 p형 불순물을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 불순물층이 형성된 부분에서 상기 반도체 기판의 상기 일면과 상기 반도체 기판의 측면의 표면 특성이 서로 다른 태양 전지의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제1 불순물층이 형성된 부분에서, 상기 반도체 기판의 상기 일면이 복수의 기공을 포함하는 다공성 부분을 포함하고, 상기 반도체 기판의 측면이 상기 다공성 부분보다 작은 다공도를 가지는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 불순물층이 형성된 부분에서 상기 반도체 기판의 측면에 다공성 부분이 존재하지 않는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 상기 일면이 후면이고, 상기 반도체 기판의 상기 타면이 전면이며, 상기 제1 불순물층이 후면 전계층이고, 상기 제2 불순물층이 에미터층인 태양 전지의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 측면에 상기 제2 요철이 형성되는 태양 전지의 제조 방법
10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.