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제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판;상기 기판의 후면 위에 위치하는 유전체층;상기 유전체층의 후면 중 일부 영역에 위치하며, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부;상기 유전체층의 후면 중 나머지 일부 영역에 위치하며, 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 상기 기판보다 고농도로 함유하는 후면 전계부;상기 에미터부에 연결되는 제1 전극; 및상기 후면 전계부에 연결되는 제2 전극;을 포함하고,상기 에미터부 및 상기 후면 전계부의 적어도 일부분은 다결정 실리콘 재질을 포함하고,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 니켈 실리사이드(Ni-Silicide)층과 니켈(Ni)층을 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 유전체층의 두께는 0nm 초과 3nm 이하인 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 유전체층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화 질화물(SiOxNy), 알리미늄 산화물(AlOx) 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 도금 방식으로 형성되는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극의 상기 니켈 실리사이드층은 상기 에미터부에 직접 접촉되고,상기 제2 전극의 상기 니켈 실리사이드층은 상기 후면 전계부에 직접 접촉되는 태양 전지
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6
제1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 니켈층 후면에는 구리(Cu)를 포함하는 구리층을 더 포함하는 태양 전지
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7
제6 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 구리층의 후면에 주석(Sn)을 포함하는 주석층을 더 포함하는 태양 전지
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8
제1 항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 절연막을 더 포함하는 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산화 질화물(SiOxNy), 알루미늄 산화물(AlOx) 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지
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10
제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판의 후면에 유전체층을 형성하는 단계;상기 유전체층의 후면 중 일부 영역에 에미터부를 형성하기 위해, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하고 비정질 실리콘 재질을 포함하는 에미터부용 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 유전체층의 후면 중 나머지 일부 영역에 후면 전계부를 형성하기 위해, 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 상기 기판보다 고농도로 함유하고 비정질 실리콘 재질을 포함하는 후면 전계부용 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 에미터부용 비정질 실리콘층에 접속하는 제1 전극을 도금 방식으로 형성하는 단계; 및상기 후면 전계부용 비정질 실리콘층에 접속하는 제2 전극을 도금 방식으로 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 형성할 때에, 상기 에미터부용 비정질 실리콘층 및 상기 후면 전계부용 비정질 실리콘층에 포함되는 비정질 실리콘 재질의 적어도 일부분은 각각 다결정 실리콘 재질로 결정화되는 태양 전지 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는 상기 에미터부용 비정질 실리콘층에 제1 니켈(Ni)층을 형성하는 단계; 및상기 제1 니켈층을 열처리하여, 상기 에미터부용 비정질 실리콘층에 접촉하는 상기 제1 니켈층의 일부분을 제1 니켈 실리사이드(Ni-Silicide)층으로 형성시키면서 동시에 상기 에미터부용 비정질 실리콘층에 포함되는 비정질 실리콘 재질의 적어도 일부분을 다결정 실리콘 재질로 결정화시키는 에미터부 열처리 단계;를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는 상기 에미터부 열처리 단계 이후, 상기 제1 니켈층 위에 구리를 포함하는 제1 구리층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 에미터부 열처리 단계의 공정 온도는 300℃ ~ 450℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
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14
제10 항에 있어서,상기 제2 전극을 형성하는 단계는 상기 후면 전계부용 비정질 실리콘층에 제2 니켈(Ni)층을 형성하는 단계; 및상기 제2 니켈층을 열처리하여, 상기 후면 전계부용 비정질 실리콘층에 접촉하는 상기 제2 니켈층의 일부분을 제2 니켈 실리사이드층으로 형성시키면서 동시에 상기 후면 전계부용 비정질 실리콘층에 포함되는 비정질 실리콘 재질의 적어도 일부분을 다결정 실리콘 재질로 결정화시키는 후면 전계부 열처리 단계;를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제2 전극을 형성하는 단계는 상기 후면 전계부 열처리 단계 이후, 상기 제2 니켈층 위에 구리를 포함하는 제2 구리층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 후면 전계부 열처리 단계의 공정 온도는 300℃ ~ 450℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
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17
제10 항에 있어서,상기 유전체층의 두께는 0nm 초과 3nm 이하로 형성되는 태양 전지 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 유전체층 형성 단계에서의 공정 온도는 800℃ ~ 900℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 에미터부용 비정질 실리콘층 및 상기 후면 전계부용 비정질 실리콘층의 일부 위에 절연막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
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