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기판; 상기 기판 위에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 위에 형성되며, 광 투과 부분을 포함하는 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 위에 형성되는 제2 전극을 포함하고, 상기 광전 변환부는, 서로 다른 밴드갭을 가지는 제1 변환 부분, 제2 변환 부분 및 제3 변환 부분을 포함하고, 상기 광 투과 부분으로 광이 투과되도록 하여 건물 일체형 태양 전지로 사용되는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 광 투과 부분에 의한 투과도가 5% 이상인 태양 전지
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제2항에 있어서,상기 광 투과 부분에 의한 투과도가 5% 내지 30%인 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 제1 변환 부분, 상기 제2 변환 부분 및 상기 제3 변환 부분은 상기 제1 전극 위에 차례로 형성되고, 상기 제1 변환 부분의 에너지 밴드갭이 상기 제2 변환 부분의 에너지 밴드갭보다 크고, 상기 제2 변환 부분의 에너지 밴드갭이 상기 제3 변환 부분의 에너지 밴드갭보다 큰 태양 전지
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제4항에 있어서,상기 제1 변환 부분이 300nm 내지 700nm 파장의 광을 흡수하고, 상기 제2 변환 부분이 400nm 내지 900nm 파장의 광을 흡수하고, 상기 제3 변환 부분이 500nm 내지 1300nm 파장의 광을 흡수하는 태양 전지
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제4항에 있어서,상기 제1 변환 부분은 탄소 및 산소 중 적어도 어느 하나를 구비하는 비정질 실리콘을 포함하는 제1 진성 반도체층을 포함하고, 상기 제2 변환 부분은 비정질 실리콘-게르마늄을 포함하는 제2 진성 반도체층을 포함하며, 상기 제3 변환 부분은 미세 결정 실리콘-게르마늄을 포함하는 제3 진성 반도체층을 포함하는 태양 전지
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제6항에 있어서,상기 제1 진성 반도체층에서 상기 탄소 및 산소의 함량이 10 at% 내지 50 at%인 태양 전지
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제6항에 있어서,상기 제2 진성 반도체층에서 상기 게르마늄의 함량이 5 at% 내지 30 at%인 태양 전지
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제6항에 있어서, 상기 제2 진성 반도체층에서 상기 게르마늄의 함량이 3 at% 내지 20 at%만큼 포함되는 태양 전지
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제6항에 있어서, 상기 제2 진성 반도체층의 결정화도가 30% 내지 70%인 태양 전지
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제6항에 있어서, 상기 미세 결정 실리콘-게르마늄의 크기가 10nm 내지 5㎛인 태양 전지
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제6항에 있어서, 상기 제1 진성 반도체층의 두께보다 상기 제2 진성 반도체층의 두께가 크고,상기 제2 진성 반도체층의 두께보다 상기 제3 진성 반도체층의 두께가 큰 태양 전지
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제12항에 있어서, 상기 제1 진성 반도체층의 두께가 50nm 내지 200nm이고, 상기 제2 진성 반도체층의 두께가 100nm 내지 500nm이며, 상기 제3 진성 반도체층의 두께가 1㎛ 내지 5㎛인 태양 전지
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제6항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 변환 부분 각각은, 상기 제1 내지 제3 진성 반도체층 각각의 상기 제1 전극쪽 면에 위치하는 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 내지 제3 진성 반도체층 각각의 상기 제2 전극쪽 면에 위치하는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 태양 전지
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제14항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층이 p형이고, 상기 제2 도전형 반도체층이 n형인 태양 전지
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제14항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층은 산소 및 탄소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 태양 전지는 검은색을 띠는 태양 전지
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