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박막 실리콘 태양 전지 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015070702
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 박막 실리콘 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 본 발명은, 금속 기판 상에 그래핀을 형성하는 단계; 상기 그래핀 상에 다결정질 실리콘을 형성하는 단계; 상기 다결정질 실리콘을 이용하여 박막 구조를 제작하는 단계; 및 상기 박막 구조 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
Int. CL	H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/20 (2006.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/0368 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC	H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자	1020130019214 (2013.02.22)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2014-0105653 (2014.09.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2018.02.21)
심사청구항수	13

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	노종현	대한민국	서울 서초구
2	최민석	대한민국	서울 서초구
3	김태형	대한민국	서울 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2	방해철	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.02.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0162069-35
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2014.12.01	수리 (Accepted)	1-1-2014-1162999-39
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2018.02.21	수리 (Accepted)	1-1-2018-0183379-04
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2019.05.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2019.06.13	수리 (Accepted)	9-1-2019-0028426-04
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2019.06.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0442588-74
8	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2019.08.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0625076-02
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 금속 기판 상에 그래핀을 형성하는 단계;상기 그래핀 상에 다결정질 실리콘을 형성하는 단계;상기 다결정질 실리콘을 이용하여 박막 구조를 제작하는 단계; 및상기 박막 구조 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지의 제조 방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 다결정질 실리콘을 형성하는 단계는, 상기 그래핀 상에 비정질 실리콘을 형성하는 단계; 및상기 비정질 실리콘을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지의 제조 방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 박막 구조를 제작하는 단계는,상기 제 1전도성 실리콘을 형성하는 단계; 및상기 제 1전도성 실리콘 상에 제 2전도성 실리콘을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지의 제조 방법
4	4 제 1항에 있어서, 상기 그래핀과 다결정질 실리콘 사이에, 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지의 제조 방법
5	5 제 1항에 있어서, 상기 금속 기판을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지의 제조 방법
6	6 제 5항에 있어서, 상기 금속 기판을 분리하는 단계는, 전기 분해 과정에 의하여 분리하는 것을 특징으로 하는 실리콘 반도체 소자의 제조 방법
7	7 제 5항에 있어서, 상기 금속 기판이 분리된 면에 최종 기판을 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지의 제조 방법
8	8 제 7항에 있어서, 상기 최종 기판은,수지 기판; 및상기 수지 기판과 그래핀 사이에 위치하는 접착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지의 제조 방법
9	9 제 1항에 있어서, 상기 박막 구조 상에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지의 제조 방법
10	10 기판;상기 기판 상에 위치하는 그래핀;상기 그래핀 상에 위치하는 다결정질 실리콘을 포함하는 박막 구조;상기 박막 구조 상에 위치하는 반사 방지막; 및상기 박막 구조와 전기적으로 연결되는 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지
11	11 제 10항에 있어서, 상기 기판은, 금속 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지
12	12 제 10항에 있어서, 상기 기판은, 수지 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지
13	13 제 12항에 있어서, 상기 수지 기판과 그래핀 사이에는, 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양 전지

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.02.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0162069-35
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2014.12.01	수리 (Accepted)	1-1-2014-1162999-39
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2018.02.21	수리 (Accepted)	1-1-2018-0183379-04
5	선행기술조사의뢰서	2019.05.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서	2019.06.13	수리 (Accepted)	9-1-2019-0028426-04
7	의견제출통지서	2019.06.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0442588-74
8	거절결정서	2019.08.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0625076-02
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015070702
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	박막 실리콘 태양 전지 및 그 제조 방법
기술개요	본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 박막 실리콘 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 본 발명은, 금속 기판 상에 그래핀을 형성하는 단계; 상기 그래핀 상에 다결정질 실리콘을 형성하는 단계; 상기 다결정질 실리콘을 이용하여 박막 구조를 제작하는 단계; 및 상기 박막 구조 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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