| 1 |
1
베이스 필름; 상기 베이스 필름 상에 형성되며 필러 입자 및 상기 필러 입자 중 적어도 일부가 제거되어 형성된 보이드(void)를 가지는 프라이머층; 및 상기 프라이머층 상에 형성되며, 네트워크 구조를 형성하는 나노 소재의 도전체를 포함하는 도전층을 포함하고,상기 보이드는 상기 프라이머층의 일부 영역에 대응되는 상기 필러 입자가 제거되어 형성되는 전도성 필름
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 도전층은, 상기 도전체가 위치하는 도전 영역과, 상기 도전체가 위치하지 않는 비도전 영역을 포함하고, 상기 비도전 영역에 대응하는 상기 프라이머층의 영역에 상기 보이드가 위치하는 전도성 필름
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 프라이머층의 상기 도전 영역에 대응하는 영역에 상기 필러 입자를 포함하는 전도성 필름
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 필러 입자는 탄산 칼슘 및 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 전도성 필름
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 산화물이 지르코늄 산화물, 실리콘 산화물 및 철 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 하나 이상 포함하는 전도성 필름
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 보이드의 입경이 20nm 내지 150nm인 전도성 필름
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 프라이머층의 두께가 50nm 내지 200nm인 전도성 필름
|
| 8 |
8
제2항에 있어서,상기 비도전 영역에 대응하는 영역에서 상기 보이드의 부피 비율이 10 % 내지 30 %인 전도성 필름
|
| 9 |
9
제2항에 있어서,상기 도전 영역과 상기 비도전 영역의 난반사율 차이가 1
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 도전 영역과 상기 비도전 영역의 난반사율 차이가 0
|
| 11 |
11
제2항에 있어서,상기 도전체를 덮는 오버 코팅층을 더 포함하고, 상기 비도전 영역에 대응하는 상기 오버 코팅층의 영역에는 상기 네트워크 구조의 보이드가 형성되는 전도성 필름
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 프라이머층은 경화성 수지를 포함하는 전도성 필름
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 프라이머층의 굴절률은 1
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 도전체가 은 나노 와이어를 포함하는 전도성 필름
|
| 15 |
15
베이스 필름; 상기 베이스 필름 상에 형성되며 필러 입자 및 상기 필러 입자가 제거되어 형성된 보이드를 가지는 프라이머층; 및 상기 프라이머층 상에 형성되며 네트워크 구조의 도전체를 포함하는 도전층을 포함하고,상기 보이드는 상기 프라이머층의 일부 영역에 대응되는 상기 필러 입자가 제거되어 형성되는 전도성 필름
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 필러 입자는 탄산 칼슘 및 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 전도성 필름
|
| 17 |
17
제15항에 있어서,상기 필러 입자의 입경이 20nm 내지 150nm이며, 상기 필러 입자가 위치한 영역에서 상기 필러 입자의 부피 비율이 10 % 내지 30 %인 전도성 필름
|
| 18 |
18
제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 전도성 필름을 포함하는 전자 장치
|
| 19 |
19
베이스 필름을 준비하는 단계; 상기 베이스 필름 상에 경화성 수지 및 필러 입자를 포함하는 프라이머층을 형성하는 단계; 상기 프라이머층 상에 네트워크 구조를 형성하는 나노 소재를 포함하는 도전체를 포함하는 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 도전층을 패터닝하여 전도성 필름을 형성하는 단계를 포함하고,상기 도전층을 패터닝하는 단계에서 상기 전도성 필름의 상기 필러 입자를 적어도 일부 제거하여 비도전형 영역에 대응하여 보이드를 형성하는 전도성 필름의 제조 방법
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 도전층을 패터닝하는 단계는 식각 용액을 이용한 습식 식각법에 의하여 수행되는 전도성 필름의 제조 방법
|
