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태양 전지

  • 기술번호 : KST2015070740
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 형성되며 상기 반도체 기판과 동일하거나 서로 다른 도전형을 가지는 도전형 영역; 상기 도전형 영역을 덮으면서 상기 반도체 기판 위에 형성되는 패시베이션 막; 및 상기 반도체 기판 및 상기 도전형 영역 중 적어도 하나에 전기적으로 연결되는 전극을 포함한다. 상기 패시베이션 막은, 상기 도전형 영역 위에 형성되며 실리콘 산화물을 포함하는 제1 층; 상기 제1 층 위에 형성되며 음전하를 가지는 산화물을 포함하는 제2 층; 및 상기 제2 층 위에 형성되며 상기 제2 층과 다른 굴절률을 가지는 제3 층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/042 (2014.01)
CPC H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01)
출원번호/일자 1020130023572 (2013.03.05)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1631450-0000 (2016.06.13)
공개번호/일자 10-2014-0110213 (2014.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (20160617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.28)
심사청구항수 34

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양두환 대한민국 서울특별시 서초구
2 양주홍 대한민국 서울특별시 서초구
3 정일형 대한민국 서울특별시 서초구
4 김진아 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0193875-34
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1035462-99
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0043394-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0052828-31
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0232837-73
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0232830-54
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0303437-14
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.05.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0504123-40
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0504130-60
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0391673-68
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판에 형성되며 상기 반도체 기판과 동일하거나 서로 다른 도전형을 가지는 도전형 영역; 상기 도전형 영역을 덮으면서 상기 반도체 기판 위에 형성되는 패시베이션 막; 및 상기 반도체 기판 및 상기 도전형 영역 중 적어도 하나에 전기적으로 연결되는 전극을 포함하고, 상기 패시베이션 막은, 상기 도전형 영역 위에 형성되며 실리콘 산화물을 포함하는 제1 층; 상기 제1 층 위에 형성되며 음전하를 가지는 산화물을 포함하는 제2 층; 상기 제2 층 위에 형성되며 상기 제2 층과 다른 굴절률을 가지는 제3 층; 및 상기 제3 층 위에 형성되며 상기 제3 층과 다른 굴절률을 가지는 제4 층을 포함하고, 상기 제1 층의 열팽창 계수가 상기 반도체 기판의 열팽창 계수보다 작고 상기 제2 층의 열팽창 계수보다 크고, 상기 제1 층의 두께가 상기 제2 층의 두께보다 얇고, 상기 제1 층의 계면 트랩 밀도가 상기 제2 층의 계면 트랩 밀도보다 큰 태양 전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 층은 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물 및 지르코늄 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 층의 두께가 상기 제3 층의 두께보다 작은 태양 전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 층의 계면 트랩 밀도가 상기 제3 층의 계면 트랩 밀도보다 큰 태양 전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 패시베이션 막이 상기 반도체 기판의 후면에 위치하고, 상기 제3 층의 굴절률이 상기 제2 층의 굴절률보다 작은 태양 전지
7 7
제6항에 있어서, 상기 제2 층의 굴절률이 1
8 8
제6항에 있어서, 상기 제2 층의 두께가 상기 제3 층의 두께보다 작은 태양 전지
9 9
제8항에 있어서, 상기 제2 층의 두께가 4nm 내지 20nm이고, 상기 제3 층의 두께가 200nm 내지 250nm인 태양 전지
10 10
제6항에 있어서, 상기 제3 층이 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제1 층의 계면 트랩 밀도가 상기 제3 층의 계면 트랩 밀도보다 큰 태양 전지
11 11
제10항에 있어서, 상기 제1 층의 계면 트랩 밀도가 상기 제3 층의 계면 트랩 밀도의 1
12 12
제6항에 있어서, 상기 제4 층이 실리콘 질화물을 포함하는 태양 전지
13 13
제12항에 있어서, 상기 제4 층의 굴절률이 2
14 14
제1항에 있어서, 상기 패시베이션 막이 상기 반도체 기판의 전면에 위치하고, 상기 제3 층의 굴절률이 상기 제2 층의 굴절률보다 크고,상기 제4 층의 굴절률이 상기 제3 층의 굴절률보다 작은 태양 전지
15 15
제14항에 있어서, 상기 제2 층의 굴절률이 1
16 16
제14항에 있어서, 상기 제2 층의 두께가 상기 제3 층 및 상기 제4 층의 두께보다 작은 태양 전지
17 17
제16항에 있어서, 상기 제2 층의 두께가 4nm 내지 20nm이고, 상기 제3 층의 두께가 80nm 내지 90nm이며,상기 제4 층의 두께가 100nm 내지 120nm인 태양 전지
18 18
제14항에 있어서, 상기 제3 층이 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제4 층이 실리콘 산화물을 포함하는 태양 전지
19 19
제18항에 있어서, 상기 제1 층의 계면 트랩 밀도가 상기 제4 층의 계면 트랩 밀도의 1
20 20
반도체 기판;상기 반도체 기판의 일면에 형성되며 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역; 상기 반도체 기판의 타면에 형성되며 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형을 가지는 제2 도전형 영역; 상기 제1 도전형 영역을 덮으면서 상기 반도체 기판의 상기 일면 위에 형성되는 제1 패시베이션 막; 상기 제2 도전형 영역을 덮으면서 상기 반도체 기판의 상기 타면 위에 형성되는 제2 패시베이션 막; 상기 제1 도전형 영역에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 영역에 전기적으로 연결되는 제2 전극 을 포함하고, 상기 제1 패시베이션 막은, 상기 반도체 기판의 상기 일면 위에 형성되는 제1 실리콘 산화물층; 상기 제1 실리콘 산화물층 위에 형성되는 제1 실리콘 질화물층; 및 상기 실리콘 질화물층 형성되는 제2 실리콘 산화물층을 포함하고, 상기 제2 패시베이션 막은, 상기 반도체 기판의 상기 타면 위에 형성되는 제3 실리콘 산화물층; 상기 제1 실리콘 산화물층 위에 형성되며 음전하를 띠는 산화물을 포함하는 음전하 산화물층; 상기 음전하 산화물층 형성되는 제4 실리콘 산화물층; 및 상기 제4 실리콘 산화물층 위에 형성되는 제2 실리콘 질화물층을 포함하고, 상기 제3 실리콘 산화물층의 열팽창 계수가 상기 반도체 기판의 열팽창 계수보다 작고 상기 음전하 산화물층의 열팽창 계수보다 크고, 상기 제3 실리콘 산화물층의 두께가 상기 음전하 산화물층의 두께보다 얇고, 상기 제3 실리콘 산화물층의 계면 트랩 밀도가 상기 음전하 산화물층의 계면 트랩 밀도보다 큰 태양 전지
21 21
제20항에 있어서, 상기 반도체 기판의 상기 일면이 상기 반도체 기판의 전면이고, 상기 반도체 기판의 상기 타면이 상기 반도체 기판의 후면이며, 상기 제1 실리콘 산화물층이 상기 제3 실리콘 산화물층보다 얇은 두께를 가지는 태양 전지
22 22
제21항에 있어서, 상기 반도체 기판의 상기 전면이 상기 반도체 기판의 상기 후면보다 큰 표면 거칠기를 가지는 태양 전지
23 23
제20항에 있어서, 상기 반도체 기판의 상기 일면이 상기 반도체 기판의 전면이고, 상기 반도체 기판의 상기 타면이 상기 반도체 기판의 후면이며, 상기 제2 전극은, 상기 제2 패시베이션 막을 관통하여 상기 반도체 기판에 부분적으로 컨택되는 제1 전극부와, 상기 제1 전극부에 연결되며 상기 제2 패시베이션 막 위에 전체적으로 형성되는 제2 전극부를 포함하는 태양 전지
24 24
제23항에 있어서, 상기 반도체 기판의 상기 일면이 상기 반도체 기판의 전면이고, 상기 반도체 기판의 상기 타면이 상기 반도체 기판의 후면이며, 상기 제2 도전형 영역이 p형을 가지는 태양 전지
25 25
제20항에 있어서, 상기 제1 실리콘 산화물층이 상기 반도체 기판의 상기 일면에 접촉하여 형성되고, 상기 제3 실리콘 산화물층이 상기 반도체 기판의 다른 일면 및 상기 음전하 산화물층에 접촉하여 형성되는 태양 전지
26 26
제20항에 있어서, 상기 제1 실리콘 산화물층과 상기 제1 실리콘 질화물층 사이에 알루미늄 산화물층을 더 포함하는 태양 전지
27 27
제26항에 있어서, 상기 알루미늄 산화물층의 굴절률이 1
28 28
제27항에 있어서, 상기 알루미늄 산화물층의 두께가 4nm 내지 20nm이고, 상기 제1 실리콘 질화물층의 두께가 80nm 내지 90nm이며, 상기 제2 실리콘 산화물층의 두께가 100nm 내지 120nm이고, 상기 음전하 산화물층의 두께가 4nm 내지 20nm이고, 상기 제4 실리콘 산화물층의 두께가 200nm 내지 250nm이며, 상기 제2 실리콘 질화물층의 두께가 50nm 내지 100nm인 태양 전지
29 29
제20항에 있어서, 상기 음전하 산화물층은 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물 및 지르코늄 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지
30 30
반도체 기판;상기 반도체 기판에 형성되며 상기 반도체 기판과 동일하거나 서로 다른 도전형을 가지는 도전형 영역; 상기 도전형 영역을 덮으면서 상기 반도체 기판 위에 형성되는 패시베이션 막; 및 상기 반도체 기판 및 상기 도전형 영역 중 적어도 하나에 전기적으로 연결되는 전극을 포함하고, 상기 패시베이션 막은, 상기 반도체 기판 위에 형성되는 제1 층; 및상기 제1 층 위에 형성되는 제2 층을 포함하고, 상기 제1 층의 열팽창 계수가 상기 반도체 기판의 열팽창 계수보다 작고 상기 제2 층의 열팽창 계수보다 크고, 상기 제1 층의 두께가 상기 제2 층의 두께보다 얇고, 상기 제1 층의 계면 트랩 밀도가 상기 제2 층의 계면 트랩 밀도보다 큰 태양 전지
31 31
제30항에 있어서,상기 제1 층의 열팽창 계수가 0
32 32
제30항에 있어서,상기 제1 층의 계면 트랩 밀도가 4
33 33
제30항에 있어서,상기 제1 층의 두께 : 상기 제2 층의 두께 비율이 1 : 4 내지 1 : 12인 태양 전지
34 34
제30항에 있어서,상기 제1 층의 두께가 1nm 내지 5nm인 태양 전지
35 35
제30항에 있어서,상기 제2 층이 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 적어도 하나 포함하고,상기 제2 층의 두께가 4nm 내지 20nm인 태양 전지
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7 US2014251424 US 미국 DOCDBFAMILY
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