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양면 수광형 태양전지

  • 기술번호 : KST2015070772
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요약 본 발명에 따른 양면 수광형 태양전지는, 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판; 기판의 제1 면에 위치하며, 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부; 에미터부의 전면(front surface)에 위치하고, 복수의 제1 개구부를 구비하는 제1 유전층; 기판의 후면(back surface)에 위치하고, 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 후면 전계부; 후면 전계부의 후면(back surface)에 위치하고, 복수의 제2 개구부를 구비하는 제2 유전층; 제1 개구부를 통해 노출된 에미터부와 연결되는 제1 전극; 및 제2 개구부를 통해 노출된 후면 전계부와 연결되는 제2 전극을 포함하고, 후면 전계부는 반도체 기판과 접촉하며 불순물을 함유하지 않는 진성 비정질 실리콘(i-a-Si)층, 진성 비정질 실리콘층의 후면에 위치하며 제1 도전성 타입의 불순물을 반도체 기판에 비해 고농도로 함유하는 제1 도전성 타입의 비정질 실리콘(a-Si)층, 및 제1 도전성 타입의 비정질 실리콘층의 후면에 위치하며 제1 도전성 타입의 불순물을 반도체 기판에 비해 고농도로 함유하는 제1 도전성 타입의 미세 결정 실리콘(mc-Si)층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/068 (2006.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/0368 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0684(2013.01) H01L 31/0684(2013.01) H01L 31/0684(2013.01) H01L 31/0684(2013.01)
출원번호/일자 1020130023164 (2013.03.05)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0110177 (2014.09.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.08)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤은혜 대한민국 서울 서초구
2 박상욱 대한민국 서울 서초구
3 심승환 대한민국 서울 서초구
4 이유진 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0191272-77
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-1224879-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0862381-25
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0148599-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0148600-70
7 등록결정서
Decision to grant
2019.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0299210-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판;상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 제1 도전성 타입의 반대 도전성을 갖는 제2 도전성 타입의 불순물을 상기 기판으로 확산시켜 형성한 에미터부;상기 에미터부의 전면(front surface)에 위치하고, 복수의 제1 개구부를 구비하는 제1 유전층;상기 기판의 후면(back surface)과 접촉하며, 불순물을 함유하지 않는 진성 비정질 실리콘(i-a-Si)층;상기 진성 비정질 실리콘층의 후면에 위치하며, 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 상기 반도체 기판에 비해 고농도로 함유하는 비정질 실리콘(a-Si) 후면 전계부;상기 비정질 실리콘 후면 전계부의 후면(back surface)에 위치하고, 복수의 제2 개구부를 구비하는 제2 유전층;상기 제1 개구부를 통해 노출된 상기 에미터부와 연결되는 제1 전극; 및상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 후면 전계부와 연결되는 제2 전극을 포함하는 양면 수광형 태양전지
2 2
제1항에서,상기 비정질 실리콘 후면 전계부는 상기 기판의 후면 전체에 위치하는 양면 수광형 태양전지
3 3
제1항에서,상기 제2 유전층에 형성된 복수의 개구부 사이의 간격은 100㎛ 내지 500㎛로 형성되는 양면 수광형 태양전지
4 4
제1항에서,상기 제1 도전성 타입은 n형이고, 상기 제2 도전성 타입은 p형인 양면 수광형 태양전지
5 5
제1항에서,상기 제1 전극은 상기 반도체 기판의 전면에 위치하며 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 핑거 전극을 포함하는 양면 수광형 태양전지
6 6
제5항에서,상기 제1 전극은 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제1 버스바 전극을 더 포함하며, 상기 제1 버스바 전극은 상기 제1 핑거 전극과 물리적으로 연결되는 양면 수광형 태양전지
7 7
제6항에서,상기 제1 핑거 전극과 상기 제1 버스바 전극은 도금층을 포함하는 양면 수광형 태양전지
8 8
제1항에서,상기 비정질 실리콘 후면 전계부의 후면에 위치하며 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 상기 반도체 기판에 비해 고농도로 함유하는 미세 결정 실리콘(mc-Si)층을 더 포함하며,상기 제2 전극의 전면(front surface) 전체는 상기 미세 결정 실리콘층과 직접 접촉하는 양면 수광형 태양전지
9 9
제8항에서,상기 제2 전극은 도금층을 포함하는 양면 수광형 태양전지
10 10
제1항에서,상기 비정질 실리콘 후면 전계부의 후면에 위치하며 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 상기 반도체 기판에 비해 고농도로 함유하는 미세 결정 실리콘(mc-Si)층을 더 포함하며,상기 비정질 실리콘 후면 전계부의 두께는 상기 미세 결정 실리콘층의 두께보다 크게 형성되고, 상기 미세 결정 실리콘층의 두께는 상기 진성 비정질 실리콘층의 두께보다 크게 형성되는 양면 수광형 태양전지
11 11
제10항에서,상기 진성 비정질 실리콘층은 1㎚ 내지 5㎚의 두께로 형성되는 양면 수광형 태양전지
12 12
제10항에서,상기 비정질 실리콘 후면 전계부는 10㎚ 내지 30㎚의 두께로 형성되는 양면 수광형 태양전지
13 13
제10항에서,상기 미세 결정 실리콘층은 5㎚ 내지 10㎚의 두께로 형성되는 양면 수광형 태양전지
14 14
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에서,상기 제2 유전층은 제1 후면 유전층 및 제2 후면 유전층을 포함하며, 상기 제1 후면 유전층 및 상기 제2 후면 유전층은 각각 상기 비정질 실리콘 후면 전계부와 반대 도전의 고정 전하를 갖는 양면 수광형 태양전지
15 15
제14항에서,상기 제1 유전층은 상기 에미터부와 반대 도전형의 고정 전하를 갖는 제1 전면 유전층, 상기 에미터부와 동일 도전형의 고정 전하를 가지며 상기 제1 전면 유전층의 전면에 위치하는 제2 전면 유전층, 및 상기 에미터부와 동일 도전형의 고정 전하를 가지며 상기 제2 전면 유전층의 전면에 위치하는 제3 전면 유전층을 포함하는 양면 수광형 태양전지
16 16
제15항에서,상기 제1 후면 유전층과 상기 제2 전면 유전층은 서로 동일한 물질로 형성되고, 상기 제2 후면 유전층과 상기 제3 전면 유전층은 서로 동일한 물질로 형성되는 양면 수광형 태양전지
17 17
제16항에서,상기 제1 후면 유전층과 상기 제2 전면 유전층은 실리콘 질화막으로 형성되고, 상기 제2 후면 유전층과 상기 제3 전면 유전층은 실리콘 산화막으로 형성되는 양면 수광형 태양전지
18 18
제16항에서,상기 제1 전면 유전층은 알루미늄 산화막으로 형성되는 양면 수광형 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.