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제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판;상기 기판의 전면에 위치하며, 상기 제1 도전성 타입의 불순물과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부;상기 에미터부 위에 위치하는 보호막;상기 보호막 위에 위치하는 제1 반사 방지막;상기 제1 반사 방지막 위에 위치하는 도금 방지막;상기 기판의 전면 위에 위치하며, 상기 보호막, 상기 제1 반사 방지막 및 상기 도금 방지막을 통과하여 상기 에미터부에 연결되는 제1 전극; 및상기 기판의 전면과 반대면인 후면 위에 위치하며, 상기 기판에 연결되는 제2 전극;을 포함하고,상기 도금 방지막은 비정질 실리콘(a-Si) 또는 비정질 실리콘 카바이드(a-SiC)를 포함하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 보호막 및 상기 제1 반사 방지막은 상기 제1 전극이 통과되는 부분을 제외한 나머지 부분 중 일부분에서 상기 에미터부가 노출되는 블리스터(blister) 개구부를 포함하고,상기 보호막 및 상기 제1 반사 방지막의 상기 블리스터(blister) 개구부에 의해 노출되는 상기 에미터부 위에는 상기 도금 방지막이 접촉하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 도금 방지막의 두께는 상기 보호막 및 상기 제1 반사 방지막의 두께보다 얇은 태양전지
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제3 항에 있어서,상기 도금 방지막의 두께는 1nm ~ 5nm 사이인 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 도금 방지막의 밴드갭 에너지는 상기 보호막 및 상기 제1 반사 방지막의 밴드갭 에너지보다 높은 태양전지
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6
제5 항에 있어서,상기 도금 방지막의 밴드갭 에너지는 1
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제1 항에 있어서,상기 보호막은 알루미늄 산화물(AlOx)를 포함하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 반사 방지막은 실리콘 질화막(SiNx) 및 실리콘 산화막(SiOx) 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지
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9
제1 항에 있어서,상기 보호막의 두께는 상기 제1 반사 방지막의 두께보다 얇은 태양전지
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제9 항에 있어서,상기 보호막의 두께는 5nm ~ 10nm 사이인 태양전지
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제9 항에 있어서,상기 제1 반사 방지막의 두께는 80nm ~ 100nm 사이인 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극은 도금 방식으로 형성되는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 기판의 후면 위에는 제2 반사 방지막이 더 위치하는 태양전지
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제13 항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 제2 반사 방지막을 통과하여 상기 기판에 연결되는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 에미터부는 제1 면저항값을 갖는 저농도 에미터 영역과 상기 제1 면저항값보다 낮은 제2 면저항값을 갖는 고농도 에미터 영역을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 고농도 에미터 영역에 접속하는 태양전지
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제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판의 전면 위에 상기 제1 도전성 타입의 불순물과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하고, 전면저항 값을 갖는 저농도 에미터 영역을 포함하는 에미터부를 형성하는 단계;상기 에미터부 위에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 위에 제1 반사 방지막을 형성하는 단계;상기 제1 반사 방지막 위에 도금 방지막을 형성하는 단계;상기 도금 방지막, 상기 보호막 및 상기 제1 반사 방지막의 일부분을 식각하여 상기 에미터부가 노출되는 제1 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 에미터부가 노출된 상기 제1 전극 패턴에 도금 방식으로 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 기판의 후면 위에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 제1 전극 패턴을 형성하는 단계는 레이저 빔을 조사하여 상기 도금 방지막, 상기 보호막 및 상기 제1 반사 방지막의 일부분을 식각하여 형성하는 태양 전지 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 제1 반사 방지막 형성 단계에서의 공정 온도는 상기 보호막 형성 단계에서의 공정 온도보다 높은 태양 전지 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 도금 방지막 형성 단계에서의 공정 온도는 상기 제1 반사 방지막 형성 단계에서의 공정 온도보다 낮은 태양 전지 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 도금 방지막 형성 단계에서 공정 온도는 150℃ ~ 200℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 보호막 형성 단계에서 공정 온도는 150℃ ~ 250℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 제1 반사 방지막 형성 단계에서 공정 온도는 400℃ ~ 450℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 제1 전극 패턴을 형성하는 단계는 상기 도금 방지막 위에 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 도펀트 페이스트를 도포하는 단계; 및 상기 레이저 빔으로 상기 도펀트 페이스트가 도포된 상기 도금 방지막에 레이저 빔을 조사하여 상기 제1 전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제23 항에 있어서,상기 도펀트 페이스트가 도포된 상기 도금 방지막에 레이저 빔을 조사하여, 상기 제1 면저항값보다 낮은 제2 면저항값을 갖는 고농도 에미터 영역을 상기 저농도 에미터 영역의 일부분에 형성시키는 태양 전지 제조 방법
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