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반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판에 도전형 불순물을 도핑하여 불순물층을 형성하는 단계; 상기 불순물층 위에 원자층 증착법에 의하여 패시베이션 막을 증착하는 단계; 및 상기 패시베이션 막을 열처리하는 단계를 포함하고,상기 열처리하는 단계가 질소 가스 분위기에서 이루어지는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리하는 단계에서 열처리 온도가 400℃ 내지 600℃인 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 열처리하는 단계에서 열처리 시간이 30분 내지 1시간인 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 열처리하는 단계에서 열처리 온도까지 도달하기 전에 온도 상승 속도가 10℃/분 내지 20℃/분인 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 열처리하는 단계 이후에 온도를 낮추는 구간 없이 상기 반도체 기판을 열처리로로부터 꺼내는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 패시베이션 막이 알루미늄 산화막, 지르코늄 산화물 및 하프늄 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 패시베이션 막이 알루미늄 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이전의 상기 패시베이션 막의 두께보다 상기 열처리하는 단계 이후의 상기 패시베이션 막의 두께가 작은 태양 전지의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이전의 상기 패시베이션 막의 두께가 12nm 내지 30nm이고, 상기 열처리하는 단계 이후의 상기 패시베이션 막의 두께가 8nm 내지 20nm인 태양 전지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이전의 상기 패시베이션 막의 두께가 18nm 내지 25nm이고, 상기 열처리하는 단계 이후의 상기 패시베이션 막의 두께가 8nm 내지 15nm인 태양 전지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이전의 상기 패시베이션 막의 두께에 대한 상기 열처리하는 단계 이후의 상기 패시베이션 막의 두께 비율이 0
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제1항에 있어서,상기 증착하는 단계에서 상기 반도체 기판과 상기 패시베이션 막 사이에 실리콘 산화물층이 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이전의 상기 실리콘 산화물층의 두께보다 상기 열처리하는 단계 이후의 상기 실리콘 산화물층의 두께가 작거나, 또는 상기 열처리하는 단계에서 상기 실리콘 산화물층이 제거되는 태양 전지의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이전의 상기 실리콘 산화물층의 두께가 2nm 내지 5nm이고, 상기 열처리하는 단계 이후의 상기 실리콘 산화물층의 두께가 1
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제15항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이후의 상기 실리콘 산화물층의 두께가 0
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