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빛을 수광하는 전면(front surface) 및 상기 전면의 반대쪽에 위치하는 후면(back surface)을 구비하며, 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판;상기 기판의 상기 후면에 위치하는 패시베이션층; 및상기 패시베이션층의 후면에 위치하며, 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 상기 반도체 기판에 비해 고농도로 함유하는 후면 전계부를 포함하고,상기 패시베이션층은 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)을 포함하는 제1 층 및 수소화된 비정질 실리콘 산화물(a-SiO:H)을 포함하는 제2 층을 구비하는 태양전지
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제1항에서,상기 제1 층은 상기 기판의 후면과 접촉하고, 상기 제2 층은 상기 제1 층의 후면과 접촉하는 태양전지
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제2항에서,상기 제1 층은 수소화된 진성 비정질 실리콘(i a-Si:H)으로 형성되는 태양전지
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제3항에서,상기 제2 층은 수소화된 진성 비정질 실리콘 산화물(i a-SiO:H)로 형성되는 태양전지
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제4항에서,상기 제2 층은 게르마늄 또는 탄소와 같은 4족 원소를 더 포함하는 태양전지
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제3항에서,상기 제2 층은 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 포함하는 수소화된 비정질 실리콘 산화물(a-SiO:H)로 형성되는 태양전지
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7
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부, 상기 에미터부와 연결되는 제1 전극 및 상기 후면 전계부와 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 태양전지
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제7항에서,상기 에미터부 및 상기 제1 전극은 상기 기판의 전면 쪽에 위치하고, 상기 제2 전극은 상기 기판의 후면 쪽에 위치하는 태양전지
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제8항에서,상기 후면 전계부는 상기 제2 층의 후면과 접촉하며, 상기 제2 전극의 전면 전체는 상기 후면 전계부와 직접 접촉하는 태양전지
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10
제9항에서,상기 패시베이션층 및 상기 후면 전계부는 상기 기판의 후면 전체에 위치하는 태양전지
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제7항에서,상기 에미터부, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 기판의 후면에 위치하는 태양전지
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제11항에서,상기 패시베이션층은 상기 기판의 후면 전체에 위치하며, 상기 에미터부와 상기 후면 전계부는 패시베이션층의 후면에서 번갈아가며 교대로 위치하는 태양전지
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