| 1 |
1
제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판;상기 기판의 전면(front surface)에 위치하며, 상기 제1 도전성 타입의 반대 도전성을 갖는 제2 도전성 타입의 불순물을 상기 기판으로 확산시켜 형성한 에미터부;상기 에미터부의 전면(front surface)에 위치하고, 복수의 개구부를 구비하는 제1 유전층;상기 기판의 후면(back surface)과 접촉하며 불순물을 함유하지 않는 진성(intrinsic)의 제1 후면 전계층, 상기 제1 후면 전계층의 후면과 접촉하며 불순물을 함유하지 않는 진성의 제2 후면 전계층, 및 상기 제2 후면 전계층의 후면과 접촉하며 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 상기 반도체 기판에 비해 고농도로 함유하는 제1 도전성 타입의 제3 후면 전계층을 포함하는 후면 전계부;상기 제3 후면 전계층의 후면(back surface)에 위치하고, 복수의 개구부를 구비하는 제2 유전층;상기 제2 유전층의 개구부를 통해 노출된 상기 제3 후면 전계층과 연결되는 제1 전극; 및상기 제1 유전층의 개구부를 통해 노출된 상기 에미터부와 연결되는 제2 전극을 포함하고,상기 제2 후면 전계층 및 상기 제3 후면 전계층은 서로 동일한 물질로 형성되되, 상기 제1 후면 전계층과는 다른 물질로 형성되고,상기 제2 후면 전계층 및 상기 제3 후면 전계층은 상기 제1 후면 전계층보다 높은 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성되며,상기 제1 후면 전계층은 비정질 실리콘으로 형성되고, 상기 제2 후면 전계층 및 상기 제3 후면 전계층은 비정질 실리콘 카바이드로 각각 형성되는 태양전지
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에서,상기 제1 후면 전계층은 1
|
| 4 |
4
제1항에서,상기 제1 전극의 전면(front surface) 전체는 상기 제3 후면 전계층과 직접 접촉하는 태양전지
|
| 5 |
5
제1항에서,상기 제1 후면 전계층은 3㎚ 이하의 두께로 형성되는 태양전지
|
| 6 |
6
제1항에서,상기 제2 후면 전계층은 6㎚ 내지 15㎚의 두께로 형성되는 태양전지
|
| 7 |
7
제1항에서,상기 제3 후면 전계층은 3㎚ 내지 10㎚의 두께로 형성되는 태양전지
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제1항에서,상기 제1 전극은 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 핑거 전극을 포함하는 태양전지
|
| 11 |
11
제10항에서,상기 제1 전극은 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제1 버스바 전극을 더 포함하며, 상기 제1 버스바 전극은 상기 제1 핑거 전극과 물리적으로 연결되는 태양전지
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
제1항에서,상기 후면 전계부는 상기 반도체 기판의 후면 전체에 위치하는 태양전지
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
