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P2O5, SiO2, B2O3, Al2O3, 내열 특성 강화 성분, 밀착력 강화 성분, Ⅱ족계 산화물, Li2O, Na2O, K2O 및 NaF을 포함하는 글래스 프릿을 포함하고,상기 내열 특성 강화 성분은 ZrO2 및 TiO2을 포함하고,상기 밀착력 강화 성분은 CoO, NiO, MnO2 및 Fe2O3를 포함하고,상기 Ⅱ족계 산화물은 CaO 및 MgO 중 적어도 하나를 포함하고,상기 P2O5는 상기 글래스 프릿 전체에 대해 13
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P2O5, SiO2, B2O3, Al2O3, 내열 특성 강화 성분, 밀착력 강화 성분, Ⅱ족계 산화물, Li2O, Na2O, K2O 및 NaF을 포함하는 글래스 프릿 재료를 제공하는 단계;상기 글래스 프릿 재료를 멜팅하는 단계; 및상기 멜팅된 P2O5, SiO2, B2O3, Al2O3, 내열 특성 강화 성분, 밀착력 강화 성분, Ⅱ족계 산화물, Li2O, Na2O, K2O 및 NaF을 퀀칭하여, 글래스 프릿을 형성하는 단계를 포함하고,상기 내열 특성 강화 성분은 ZrO2 및 TiO2을포함하고,상기 밀착력 강화 성분은 CoO, NiO, MnO2 및 Fe2O3을 포함하고, 상기 Ⅱ족계 산화물은 CaO 및 MgO 중 적어도 하나를 포함하고,상기 P2O5는 상기 글래스 프릿 전체에 대해 13
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제 9항에 있어서, 상기 글래스 프릿의 유리 변형 온도는 520℃ 내지 700℃인 법랑 조성물의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 SiO2 및 상기 B2O3는 상기 글래스 프릿에 40wt% 내지 60wt%의 비율로 포함되는 법랑 조성물의 제조방법
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기판(substrate)을 준비하는 단계;상기 기판 상에 법랑 조성물을 형성하는 단계; 및상기 법랑 조성물을 소성하는 단계를 포함하고,상기 법랑 조성물은 글래스 프릿을 포함하고,상기 기판 상에 법랑 조성물을 형성하는 단계에서, 상기 글래스 프릿은,P2O5를 13
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제 16항에 있어서,상기 법랑 조성물을 소성하는 단계 이후에, 상기 글래스 프릿은,P2O5를 13
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조리실이 형성되는 캐비티;상기 조리실을 선택적으로 개폐하는 도어;상기 조리실에서의 조리물의 가열을 위한 열을 제공하는 적어도 1개의 가열원; 및상기 캐비티의 내면에 코팅되는 제 1항의 법랑 조성물에 의하여 형성되는 코팅층을 포함하는 조리기기
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조리실이 형성되는 캐비티;상기 조리실을 선택적으로 개폐하는 도어;상기 조리실에서의 조리물의 가열을 위한 열을 제공하는 적어도 1개의 가열원; 및상기 캐비티의 내면 및 상기 조리실이 차페된 상태에서, 상기 조리실과 마주보는 상기 도어의 이면에 코팅되는 제 1항의 법랑 조성물에 의하여 형성되는 코팅층을 포함하는 조리기기
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