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버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되는 초격자층;상기 초격자층에 상에 형성되는 GaN층;상기 GaN층 상에 형성되는 AlGaN층; 및상기 AlGaN층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하되,상기 초격자층은, p형 도펀트로 도핑되며, 상기 p형 도펀트의 농도는, 상기 초격자층의 적층 방향으로 점층적으로 감소되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 버퍼층은,AlN 및 AlGaN 중 적어도 하나로 이루어지는 것인 반도체 소자
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제2항에 있어서, 상기 버퍼층은,AIN으로 이루어지고,상기 버퍼층은,저온으로 성장된 제 1 AIN층; 및상기 제 1 AIN층 상에 형성되고, 고온으로 성장된 제 2 AIN층을 포함하는 것인 반도체 소자
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제2항에 있어서, 상기 버퍼층은,AlGaN으로 이루어지고,상기 버퍼층은,적층 방향으로 Al의 조성이 점층적으로 감소되는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 초격자층은,서로 다른 2개의 박막층이 적층된 초격자 박막층이 복수개 적층되어 형성되는 것인 반도체 소자
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제5항에 있어서, 상기 초격자 박막층은,AlN/GaN, AlN/AlGaN 및 AlGaN/GaN 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자
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제5항에 있어서, 상기 서로 다른 2개의 박막층 각각의 두께는,1 nm ~ 100 nm인 것인 반도체 소자
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제5항에 있어서, 상기 초격자층은,3 ~ 500 개의 초격자 박막층을 포함하는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 p형 도펀트는,Mg, C 및 Fe 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 p형 도펀트의 농도는,1E16/cm³~ 5E20/cm³인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 GaN층의 두께는,0
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제1항에 있어서, 상기 GaN층은,Mg, C 및 Fe 중 적어도 하나의 도펀트로 도핑되고,상기 적어도 하나의 도펀트 농도는,1E16/cm³~ 5E20/cm³ 인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaN층의 두께는,2nm ~ 100nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 AlGaN층 상에 형성되는 GaN 캡층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제15항에 있어서, 상기 GaN 캡층의 두께는,2nm ~ 10nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 버퍼층은,기판 상에 형성되는 것인 반도체 소자
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제17항에 있어서, 상기 기판은,Si, SiC, Sapphire 및 GaN 중 적어도 하나로 이루어지는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaN층, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극의 일부 영역 상에 형성되는 산화막층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제19항에 있어서, 상기 산화막층은,SiO2, HfO2, Al2O3, ZnO 및 Ga2O3 중 적어도 하나로 이루어지는 것인 반도체 소자
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제19항에 있어서, 상기 산화막층의 두께는,2 nm ~ 200 nm인 것인 반도체 소자
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