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InP계 양자점의 제조 방법 및 쉘링 방법

  • 기술번호 : KST2015071032
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 InP계 양자점을 형성하는데 있어서 사용되는 P 전구체로 트리스(다이메틸아미노)포스핀(Tris(dimethylamino)phoshine)를 활용한, InP계 양자점을 형성하는 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, InP계 양자점을 형성하는데 있어서 P 전구체로 트리스(다이메틸아미노)포스핀을 사용할 경우, 생성물인 InP계 양자점의 크기 분포가 균일하지 못하는 단점이 있는데, 이러한 단점을 극복하기 위한 방법에 관한 것이다. 더 나아가, InP계 양자점 형성 방법의 양자 효율을 높이기 위한 방법이 제공된다.
Int. CL C09K 11/70 (2006.01.01) C09K 11/62 (2006.01.01)
CPC C09K 11/70(2013.01) C09K 11/70(2013.01)
출원번호/일자 1020130032359 (2013.03.26)
출원인 엘지전자 주식회사, 홍익대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2091600-0000 (2020.03.16)
공개번호/일자 10-2014-0117204 (2014.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20200320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.02.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이주철 대한민국 서울 서초구
2 양희선 대한민국 서울 서초구
3 최윤영 대한민국 서울 서초구
4 장동선 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
2 홍익대학교 산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0262024-15
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-1172929-33
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0169329-03
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2019-0000849-58
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0417101-88
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0740937-71
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.07.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0740936-25
10 등록결정서
Decision to grant
2019.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0930059-02
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
인듐(In)을 포함하는 제 1 화합물을 아민계 합성 용매(Amine solvent)에 혼합시키는 단계; 상기 혼합된 아민계 합성 용매를 반응온도까지 승온시키는 단계; 및상기 혼합된 아민계 합성 용매에 트리스(다이메틸아미노)포스핀(Tris(dimethylamino)phoshine)을 주입하는 단계를 포함하고,상기 아민계 합성 용매는, InP계 양자점이 균일한 크기 분포를 가지도록 도데실아민(dodecylamine)인 것을 특징으로 하는 InP계 양자점을 제조하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 혼합된 아민계 합성 용매는 징크(Zn)를 포함하는 제2화합물을 포함하는,InP계 양자점을 제조하는 방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 반응온도는 190°C 내지 220°C 인,InP계 양자점을 제조하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 화합물은 인듐 클로라이드(Indium chloride)를 포함하는,InP계 양자점을 제조하는 방법
6 6
제 2 항에 있어서,상기 제 2 화합물은 징크 아세테이트(Zinc acetate)를 포함하는,InP계 양자점을 제조하는 방법
7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.