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GaN 층;상기 GaN 층 상에 형성되는 AlGaN 층;상기 AlGaN 층 상에 형성되는 p-GaN 층;상기 p-GaN 층 상에 형성되는 게이트 전극;상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극, 드레인 전극; 및상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되고, 상기 소스 전극 및 상기 게이트 전극 간 또는 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 간에 형성되는 패시베이션 층을 포함하되,상기 패시베이션 층은,상기 p-GaN층의 일부가 광전기화학(PEC, photoelectrochemical) 방법을 근거로 산화되어 형성되고,상기 AlGaN층의 일부 영역은 광전기화학(PEC, photoelectrochemical) 방법을 근거로 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 패시베이션 층은,GaOx로 이루어지고,상기 x는 0
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제1항에 있어서, 상기 p-GaN 층은,p형 도펀트로 도핑되어 형성되되,상기 p형 도펀트는,Mg 및 Zn 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자
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제4항에 있어서, 상기 p형 도펀트의 농도는,1e12/cm3 ~ 1e21/cm3 인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 p-GaN 층의 두께는,1nm ~ 1㎛인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 GaN층의 두께는,0
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제1항에 있어서, 상기 GaN층은,Mg, C 및 Fe 중 적어도 하나의 도펀트로 도핑되고,상기 적어도 하나의 도펀트 농도는,1e16/cm3 ~ 5e20/cm3인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaN층의 두께는,2nm ~ 100nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 AlGaN층 상에 형성되는 GaN 캡층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제10항에 있어서, 상기 GaN 캡층의 두께는,2nm ~ 10nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 GaN층은,버퍼층 상에 형성되는 것인 반도체 소자
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제12항에 있어서, 상기 버퍼층은,AlN, AlGaN 및 초격자(superlattice) 구조 중 적어도 하나로 이루어지는 것인 반도체 소자
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제12항에 있어서, 상기 버퍼층은,기판 상에 형성되는 것인 반도체 소자
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제14항에 있어서, 상기 기판은,Si, SiC, Sapphire 및 GaN 중 적어도 하나로 이루어지는 것인 반도체 소자
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기판 상에 버퍼층을 형성시키는 단계;상기 버퍼층 상에 GaN층을 형성시키는 단계;상기 GaN 층 상에 AlGaN 층을 형성시키는 단계;상기 AlGaN 층 상에 형성되는 p-GaN 층을 형성시키는 단계;상기 p-GaN 층의 일부를 식각하여 오픈된 AlGaN층 상에 서로 분리된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성시키는 단계;게이트 전극을 형성시키기 위한 일부 p-GaN 영역 상에 게이트 전극을 형성시키는 단계를 포함하고,패시베이션 층은 상기 p-GaN층의 일부가 광전기화학(PEC, photoelectrochemical) 방법을 근거로 산화되어 형성되고,상기 식각하여 오픈 된 AlGaN층은 광전기화학(PEC, photoelectrochemical) 방법을 근거로 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 패시베이션 층은,GaOx로 이루어지고,상기 x는 0
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제16항에 있어서, 상기 p-GaN 층은,p형 도펀트로 도핑되어 형성되되,상기 p형 도펀트는,Mg 및 Zn 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자의 제조방법
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제19항에 있어서, 상기 p형 도펀트의 농도는,1e12/cm3 ~ 1e21/cm3 인 것인 반도체 소자의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 p-GaN 층의 두께는,1nm ~ 1㎛인 것인 반도체 소자의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 버퍼층, 상기 GaN층, 상기 AlGaN층 및 p-GaN층 중 적어도 하나는,유기 금속 기상 성장법(MOCVD), 분자선 에피성장법(MBE), 힐라이드 기상 성장법(HVPE), PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition), 스퍼터링(Sputtering) 및 ALD(atomic layer deposition) 중 적어도 하나를 근거로 형성되는 것인 반도체 소자의 제조방법
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기판 상에 버퍼층을 형성시키는 단계;상기 버퍼층 상에 GaN층을 형성시키는 단계;상기 GaN 층 상에 AlGaN 층을 형성시키는 단계;상기 AlGaN 층 상에 형성되는 p-GaN 층을 형성시키는 단계;상기 p-GaN 층 중 게이트 전극을 형성시키기 위한 일부 p-GaN 영역을 제외한 p-GaN 영역을 산화시켜 패시베이션 층을 형성시키는 단계;상기 패시베이션 층의 일부를 식각하여 오픈된 AlGaN층 상에 서로 분리된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성시키는 단계; 및상기 게이트 전극을 형성시키기 위한 일부 p-GaN 영역 상에 게이트 전극을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 패시베이션 층은 상기 p-GaN층의 일부가 광전기화학(PEC, photoelectrochemical) 방법을 근거로 산화되어 형성되고,상기 식각하여 오픈 된 AlGaN층은 광전기화학(PEC, photoelectrochemical) 방법을 근거로 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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