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이종 기판, 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015071247
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 소자에 관한 것으로 특히, 이종 기판, 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 기저 기판; 상기 기저 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하고 질화물 반도체를 포함하는 제 1반도체층; 상기 제 1반도체층 상에 위치하고 다수의 금속 입자를 포함하는 결함 차단층; 및 상기 결함 차단층 상에 위치하고 질화물 반도체를 포함하는 제 2반도체층을 포함하여 구성될 수 있다.
Int. CL H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130051781 (2013.05.08)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-2015914-0000 (2019.08.23)
공개번호/일자 10-2014-0132524 (2014.11.18) 문서열기
공고번호/일자 (20190829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.02.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김치선 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 방해철 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0405992-30
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1163157-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0183381-96
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0183382-31
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0893143-92
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0213283-03
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0213284-48
9 등록결정서
Decision to grant
2019.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0516330-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기저 기판;상기 기저 기판 상에 위치하는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하고 질화물 반도체를 포함하는 제 1반도체층;상기 제 1반도체층 상에 위치하고, 제 1금속 및 상기 제 1금속을 코팅하는 제 2금속을 포함하는 다수의 금속 입자를 포함하는 결함 차단층; 및상기 결함 차단층 상에 위치하고 질화물 반도체를 포함하는 제 2반도체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이종 기판
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금속 입자는, 상기 제 1반도체층 상에 위치하는 경사면을 가지는 다수의 피트에 위치하는 것을 특징으로 하는 이종 기판
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 2금속은 상기 제 1금속의 금속 입자를 보호하거나 고체 고용체(solid-solution)를 형성하는 것을 특징으로 하는 이종 기판
4 4
제 3항에 있어서, 상기 제 1금속은, Ga, In 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 기판
5 5
제 3항에 있어서, 상기 제 2금속은, Au, Ag, Cu, Pt, Ni, Cr 및 Pd 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 기판
6 6
제 1항에 있어서, 상기 제 2금속은 상기 제 1금속이 질화물 반도체로 변형되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 이종 기판
7 7
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항의 이종 기판;상기 이종 기판 상에 위치하는 제 1전도성 반도체층;활성층;제 2전도성 반도체층;상기 제 1전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및상기 제 2전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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1 EP02802002 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 US09257602 US 미국 FAMILY
3 US20140332833 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 EP2802002 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 US2014332833 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US9257602 US 미국 DOCDBFAMILY
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