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이종원소 박막의 제조 방법에 있어서,기판 상에 이종원소 공급층을 형성하는 단계;상기 이종원소 공급층 상에 보호층을 형성하는 단계; 및상기 이종원소 공급층을 가열하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이종원소 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 이종원소 공급층은, 이종원소 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종원소 박막의 제조 방법
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제 2항에 있어서, 상기 이종원소 전구체는, BH3NH3, B3N3H6, BF3, NH3, B2H6, BCl3, B10H14, B2O3 및 HBO2 , MoO3, Mo, (NH4)2MoS4 및 S 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종원소 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 이종원소 공급층은, MoS2 또는 h-BN을 형성하기 위한 것을 특징으로 하는 이종원소 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 보호층은, Cu, Ni, Mo, Rh, Co, Fe, W, Pt 및 Au 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종원소 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 보호층은, PMMA, PS, PC 및 PDMS 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종원소 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종원소 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 이종원소 공급층을 가열하는 단계 이후에는, 상기 가열 과정에 의하여 보호층 상에 형성된 이종원소 박막을 지지체에 전사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종원소 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 이종원소 공급층을 가열하는 단계는, CVD 장치에서 800 내지 1200 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이종원소 박막의 제조 방법
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조된 이종원소 박막
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