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제1 도전성 타입의 기판;상기 기판의 제1 면(first surface)에 위치하며, 제1 도전성 타입의 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 제1 도핑부; 및상기 제1 도핑부와 전기적으로 연결된 제1 전극부를 포함하며,상기 제1 전극부는 열 경화성 수지, 상기 열 경화성 수지 내에 분산된 제1 도전성 입자, 상기 열 경화성 수지 내에 분산되고 상기 제1 도전성 입자에 비해 높은 일함수를 갖는 제2 도전성 입자, 및 상기 제2 도전성 입자와 상기 제1 도핑부가 접촉하는 계면에 위치하는 실리사이드를 포함하며,상기 제1 도전성 입자는 은(Ag)으로 구성되고, 상기 제2 도전성 입자는 니켈로 구성되며,상기 니켈은 은과 니켈을 합한 전체 중량에 대해 15 중량% 내지 25 중량%의 비율로 함유되고,상기 실리사이드는 상기 제1 도핑부의 표면 상에 부분적으로 위치하는 태양전지
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제1항에서,상기 실리사이드가 니켈 실리사이드로 구성되는 태양전지
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제1항에서,상기 니켈은 2㎛ 내지 10㎛의 크기를 갖는 태양전지
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제1항에서,상기 열 경화성 수지는 모노머(monomer) 계열의 에폭시(epoxy) 수지 또는 아크릴(acrylic) 수지를 포함하는 태양전지
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제1항에서,상기 제1 도핑부는 에미터부로 형성되는 태양전지
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제7항에서,상기 제1 전극부가 위치하지 않는 영역의 상기 에미터부에는 유전층이 형성되는 태양전지
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제8항에서,상기 제1 전극부는 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 핑거 전극 및 상기 제1 핑거 전극과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 버스바 전극을 포함하는 태양전지
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제1항, 제3항, 및 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에서,상기 기판의 제1 면의 반대쪽에 위치하는 제2 면(second surface)에 위치하며 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 상기 기판에 비해 고농도로 함유하는 제2 도핑부; 및상기 제2 도핑부와 전기적으로 연결된 제2 전극부를 더 포함하며,상기 제2 전극부는 상기 제1 도전성 입자, 상기 제2 도전성 입자, 상기 실리사이드 및 상기 열 경화성 수지를 포함하는 태양전지
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제10항에서,상기 제2 도핑부는 후면 전계부로 형성되는 태양전지
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제11항에서,상기 제2 전극부가 위치하지 않는 영역의 상기 후면 전계부에는 유전층이 형성되는 태양전지
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제12항에서,상기 제2 전극부는 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 핑거 전극 및 상기 제2 핑거 전극과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 버스바 전극을 포함하는 태양전지
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제1 도전성 타입을 갖는 기판의 제1 면에 상기 제1 도전성 타입의 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 제1 도핑부를 형성하는 단계;상기 제1 도핑부의 일부를 노출하는 개구부를 구비하는 유전층을 상기 제1 도핑부 위에 형성하는 단계;열 경화성 수지, 상기 수지 내에 분산된 제1 도전성 입자, 그리고 상기 수지 내에 분산되고 상기 제1 도전성 입자에 비해 높은 일함수를 가지며 상기 제1 도핑부와 접촉하는 계면에 실리사이드를 형성하는 제2 도전성 입자를 포함하는 전극 페이스트를 상기 개구부를 통해 노출된 상기 제1 도핑부에 인쇄하는 단계;상기 전극 페이스트를 저온 공정으로 열처리하여 경화하는 단계; 및상기 제2 도전성 입자와 상기 제1 도핑부가 접촉하는 계면에 실리사이드를 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 도전성 입자는 은(Ag)으로 구성되고, 상기 제2 도전성 입자는 니켈로 구성되며,상기 니켈은 은과 니켈을 합한 전체 중량에 대해 15 중량% 내지 25 중량%의 비율로 함유되고,상기 실리사이드는 상기 제1 도핑부의 표면 상에 부분적으로 위치하는 태양전지의 제조 방법
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제14항에서,230℃ ~ 260℃의 온도에서 상기 전극 페이스트를 열처리하여 경화하는 태양전지의 제조 방법
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제17항에서,350℃ ~ 400℃의 온도로 상기 기판을 가열하여 상기 실리사이드를 형성하는 태양전지의 제조 방법
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제14항, 제17항 및 제18항 중 어느 한 항에서,상기 제1 도핑부를 에미터부로 형성하는 태양전지의 제조 방법
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