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버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되는 초격자층;상기 초격자층에 상에 형성되고 GaN으로 이루어지는 채널층;상기 채널층 상에 형성되는 장벽층; 및상기 장벽층 상에 형성되는 p-GaN층을 포함하고,상기 버퍼층은 저온으로 성장된 제 1 AlN층 및 상기 제 1 AlN층 상에 형성되고, 고온으로 성장된 제 2 AlN층을 포함하고,상기 초격자층은 서로 다른 2개의 제 1 박막층 및 제 2 박막층이 적층된 초격자 박막층이 복수개 적층되어 형성되고,상기 제 1 박막층은 AlxGa1-xN(0≤x≤1) 또는 AlxInyGa1-x-yN(0≤x,y≤1, x≠y)로 이루어지고,상기 제 2 박막층은 GaN으로 이루어지고,상기 제 1 박막층의 두께는 1nm ~ 15nm이고, 상기 제 2 박막층의 두께는 1nm ~ 100nm이고, 상기 초격자층은 2 ~ 500 개의 초격자 박막층을 포함하고, p형 도펀트인 Fe로 도핑되며, 상기 p형 도펀트의 농도는 1e16/cm3 ~ 5e20/cm3 이고, 상기 초격자층의 적층 방향으로 점층적으로 감소되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 채널층의 두께는,0
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제1항에 있어서, 상기 채널층은,Mg, C 및 Fe 중 적어도 하나의 도펀트로 도핑되고,상기 적어도 하나의 도펀트 농도는,1e16/cm3 ~ 5e20/cm3인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 장벽층은,AlN 또는 AlxGa1-xN(0≤x≤0
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제1항에 있어서, 상기 장벽층의 두께는,1nm ~ 100nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 p-GaN층의 두께는,10nm ~ 200nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 p-GaN층의 p형 불순문 농도는,3e17/cm3 ~ 1e20/cm3인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 장벽층 상에 형성되는 GaN 캡층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제20항에 있어서, 상기 GaN 캡층의 두께는,2nm ~ 10nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 버퍼층은,기판 상에 형성되는 것인 반도체 소자
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제22항에 있어서, 상기 기판은,Si, SiC, Sapphire 및 GaN 중 적어도 하나로 이루어지는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 장벽층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극, 드레인 전극 및 상기 p-GaN층 상에 형성되는 게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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