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기판과;상기 기판상에 배열되고, 모스 아이 구조를 갖는 메타물질 층들을 포함하며, 상기 메타물질 층들 각각은 금속층과 유전체 층을 교대로 적층함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 각 메타물질 층은,음굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 전자기파 흡수체는,전자기파의 반사와 투과를 최소화하고, 전자기파 흡수율을 최대화하는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 금속층의 재질은, 알루미늄인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 유전체 층의 재질은, SiO2 인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 유전체 층의 재질은, Si 인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 각 메타물질 층은,콘 구조체이며, 상기 콘 구조체의 하단은 상기 기판상에 위치하며, 상기 콘 구조체의 하단의 폭은 상기 콘 구조체의 상단의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체
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제7항에 있어서, 각 콘 구조체의 하단은 서로 접촉되는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체
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기판상에 금속층과 유전체 층을 교대로 적층하는 단계와;상기 적층된 금속층과 유전체 층을 식각함으로써 모스 아이 구조를 갖는 메타물질 층들을 상기 기판상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 메타물질 층들 각각은,음굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 전자기파 흡수체는,전자기파의 반사와 투과를 최소화하고, 전자기파 흡수율을 최대화하는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 금속층의 재질은, 알루미늄인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 유전체 층의 재질은, SiO2 인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 유전체 층의 재질은, Si 인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 각 메타물질 층은,콘 구조체이며, 상기 콘 구조체의 하단은 상기 기판상에 위치하며, 상기 콘 구조체의 하단의 폭은 상기 콘 구조체의 상단의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법
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제15항에 있어서, 각 콘 구조체의 하단은 서로 접촉되는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법
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