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AlN 층;상기 AlN 층 상에 형성되는 AlGaN 버퍼층;상기 AlGaN 버퍼층 상에 형성되는 초격자층;상기 초격자층에 형성되는 GaN 층; 및상기 GaN 층 상에 형성되는 AlGaN 장벽층을 포함하고,상기 초격자층은,서로 다른 제1 박막층 및 제2 박막층이 교번하여 적층되어 형성되며,상기 제1 박막층은 AlN 또는 AlGaN으로 이루어지고, 상기 제2 박막층은 GaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlN층은,서로 다른 온도로 성장된 AlN으로 이루어진 복수의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제2항에 있어서, 상기 서로 다른 온도로 성장된 AlN으로 이루어진 복수의 층의 개수는,2 ~ 5인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlN층은,저온으로 성장된 제 1 AlN층; 및상기 제 1 AlN층 상에 형성되고, 고온으로 성장된 제 2 AlN층을 포함하는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaN 버퍼층은,Al의 조성이 서로 다른 AlGaN으로 이루어진 복수의 층을 포함하는 것인 반도체 소자
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제5항에 있어서, 상기 Al의 조성이 서로 다른 AlGaN으로 이루어진 복수의 층의 개수는,2 ~ 5인 것인 반도체 소자
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7
제1항에 있어서, 상기 AlN층 및 상기 AlGaN 버퍼층 중 적어도 하나의 Al 조성은,1% ~ 70%인 것인 반도체 소자
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8
제1항에 있어서, 상기 AlN층 및 상기 AlGaN 버퍼층 중 적어도 하나의 Al 조성은,적층 방향으로 점층적으로 감소되는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlN층 및 상기 AlGaN 버퍼층 중 적어도 하나의 두께는,0
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10
제1항에 있어서, 상기 초격자층의 두께는,0
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삭제
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12
삭제
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제1항에 있어서, 상기 제 1 박막층에 포함된 Al의 조성은,50% ~ 99%인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 1 박막층의 두께는,1nm ~ 20nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 2 박막층의 두께는,10nm ~ 70nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 박막층 및 상기 제2 박막층의 개수는,60 ~ 120인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 초격자층은,p형 도펀트로 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제17항에 있어서, 상기 p형 도펀트는,Mg, C 및 Fe 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자
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제17항에 있어서, 상기 p형 도펀트의 농도는,1e16/cm3 ~ 5e20/cm3 인 것인 반도체 소자
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제17항에 있어서, 상기 p형 도펀트의 농도는,상기 초격자층의 적층 방향으로 점층적으로 감소되는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 GaN층의 두께는,0
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제1항에 있어서, 상기 GaN층은,Mg, C 및 Fe 중 적어도 하나의 도펀트로 도핑되는 것인 반도체 소자
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제22항에 있어서, 상기 적어도 하나의 도펀트 농도는,1e16/cm3 ~ 5e20/cm3인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 GaN층은,서로 다른 온도로 성장된 GaN으로 이루어진 복수의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제24항에 있어서, 상기 서로 다른 온도로 성장된 GaN으로 이루어진 복수의 층의 개수는,2 ~ 5인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaN 장벽층의 Al의 조성은,10% ~ 30%인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaN 장벽층의 두께는,5nm ~ 50nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlN층은,기판 상에 형성되는 것인 반도체 소자
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제28항에 있어서, 상기 기판은,Si, SiC, Sapphire 및 GaN 중 적어도 하나로 이루어지는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaN 장벽층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극, 드레인 전극 및게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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기판 상에 AlN층을 형성시키는 단계;상기 AlN층 상에 AlGaN 버퍼층을 형성시키는 단계;상기 AlGaN 버퍼층 상에 초격자층을 형성시키는 단계;상기 초격자층 상에 GaN층을 형성시키는 단계; 및상기 GaN층 상에 AlGaN 장벽층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제31항에 있어서, 상기 AlN층, 상기 AlGaN 버퍼층, 상기 초격자층, 상기 GaN층 및 상기 AlGaN장벽층 중 적어도 하나는,유기 금속 기상 성장법(MOCVD), 분자선 에피성장법(MBE), 힐라이드 기상 성장법(HVPE), PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition), 스퍼터링(Sputtering) 및 ALD(atomic layer deposition) 중 적어도 하나를 근거로 형성되는 것인 반도체 소자의 제조방법
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