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도핑 된 그래핀의 제조 방법에 있어서,기판 상에 도펀트를 포함하는 탄소 공급층을 형성하는 단계;상기 탄소 공급층 상에 보호층을 형성하는 단계; 및상기 탄소 공급층을 가열하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 탄소 공급층은, 탄소를 포함하는 고분자 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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제 2항에 있어서, 상기 탄소를 포함하는 고분자 막은, 탄소 및 수소를 가지는 공액성 분자, 비공액성 주쇄사슬 분자 및 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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제 2항에 있어서, 상기 고분자는, PMMA, PS 및 PAN 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 도펀트는, 도펀트 원소를 포함하는 도펀트 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 도펀트 전구체는, BH3NH3, B3N3H6, BF3, NH3, B2H6, BCl3, B10H14, B2O3 및 HBO2 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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도핑 된 그래핀의 제조 방법에 있어서,탄소 및 고분자를 포함하는 탄소 공급원에 도펀트가 혼합된 혼합물을 이용하여 기판 상에 탄소 공급층을 형성하는 단계; 및상기 탄소 공급층을 가열하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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제 7항에 있어서, 상기 탄소 공급층 상에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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제 7에 있어서, 상기 탄소 공급원은, 탄소 및 수소를 가지는 공액성 분자, 비공액성 주쇄사슬 분자 및 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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제 7항에 있어서, 상기 도펀트는, 도펀트 원소를 포함하는 도펀트 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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제 10에 있어서, 상기 도펀트 전구체는, BH3NH3, B3N3H6, BF3, NH3, B2H6, BCl3, B10H14, B2O3 및 HBO2 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑 된 그래핀의 제조 방법
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제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조된 도핑 된 그래핀
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